计算机组成原理实验 实验一 存储器实验

目录

实验1  存储器实验

一、实验目的

二、实验原理

三、实验电路

四、实验步骤

五、实验数据分析

六、思考题

---

实验1  存储器实验

一、实验目的

1.熟悉DVCC计算机组成原理实验机的结构，掌握其主要操作。

2.掌握静态随机存储器RAM工作特性。

3.掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。

4.能够运用静态随机存储器进行单步读、写和连续读、写数据。

二、实验原理

1.主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，它的数据总线挂在外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273(U37)给出，地址值由8个LED灯LAD0～LAD7显示，高电平亮，低电平灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245(U51)连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下 ，写信号由W/R` 提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。

2.由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线：CS1  第一片选线、CS2第二片选线、OE读线、WE写线。其功能如表3-1所示。CS1片选线由CE`控制(对应开关CE)、OE读线直接接地、WE写线由W/R`控制(对应开关WE)、CS2直接接+5V。

1.6264静态存储器：

                                          

(1)芯片功能：

6264芯片是一个高性能CMOS静态RAM，由8192个存储单元组成。

(2)芯片引脚：

13个地址线:：A12~A0

8个数据线：D7~D0

(CE)`：片选信号，低电平有效

CS：片选信号，高电平有效

(OE)`：读允许信号，低电平有效

(WE)`：写允许信号，低电平有效

存储容量：8K*8b=8KB

(3)功能表：

模式	(CE)`	CS	(WE)`	(OE)`	D7~D0
无效信号	1	*	*	*	高阻态
无效信号	*	0	*	*	低阻态
写	0	1	0	1	输入
读	0	1	1	0	输出

2.74LS273芯片：

                        

(1)芯片功能：

74LS273芯片是一个高8位寄存器，由八个D型触发器组成，具有时钟脉冲和异步复位的功能。

(2)芯片引脚：

CLK: 时钟脉冲输入，上升沿有效

D0~D7:数据输入端

Q0~Q7:触发器输出端

MR:复位端，低电平有效

(3)功能表：

MR	CLK	Dn	Qn
0	X	X	0
1	↑	1	1
1	↑	0	0

3.74LS245:

                                            

(1)芯片功能：

8路同相三态双向总线收发器，可双向传输数据. 根据方向控制（DIR）输入的逻辑电平，允许从A总线到B总线或从B总线到A总线的数据传输。

(2)芯片引脚：

(CE)`:片选信号，低电平有效

DIR:方向控制端

AB/(BA)`:信号传输方向

(3)功能表：

(CE)`	方向AB/(BA)`	状态
0	0	B数据到A总线
0	1	A数据到B总线
1	↑	隔离

图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨在左边，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。

三、实验电路

1、实验接线图

⑴ MBUS连BUS2；         ⑵ EXJ1连BUS3；

⑶ 跳线器J22的T3连TS3；  ⑷ 跳线器J16的SP连H23；

⑸ 跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边(手动位置)。

 存储器实验接线图

2、实验原理图

四、实验步骤

1.连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。

2.形成时钟脉冲信号T3，方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。

3.给存储器的00地址单元中写入数据05，具体操作步骤如下：

4.读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下：

五、实验数据分析

1、记录向存储器写入数据的操作过程。

按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H， 01H，02H的存储单元分别写入组内同学学号的后两位，则在00H存储单元写入05H，在01H存储单元写入49H，在02H存储单元写入01H。

2、读出存储器单元内容,使用手机拍照记录读出的数据，并记录在下表中。

地址	内容	地址	内容
00H		01H
02H

六、思考题

1、静态随机存储器采用是什么原理存放信息，存放在存储器中的信息需要刷新吗，为什么？

      静态随机存储器是用触发器工作原理存储信息的，信息读出后，它仍然保持原状态，不需要再生，但电源掉电时，原存信息丢失，所以它属于易失性半导体存储器，存放在存储在存储器中的信息不需要刷新。

2、分析本实验中，SRAM 6264 最大存储容量是多少？实际存储容量是多少？为什么？

    最大存储容量：*8位=8K*8b=8KB   实际存储器容量：*8位=256*8b，因为其它5个地址线接地了。

3、计算机中什么器件采用静态随机存储器 ？什么器件采用动态随机存储器？

     静态随机存储器：计算机内部的CPU高速缓存(Cache)、硬盘缓存区、LCD显示器、打印机等；

     动态随机存储器：计算机的主存等。