模拟ic入门——设计一个带隙基准Bandgap（一）工作原理和实现电路

在模拟集成电路中，我们希望得到不随电源电压、温度以及工艺误差等的变化而变化的基准电压源来为系统提供直流参考电压，使电路能够稳定的工作在期望状态。带隙电压基准作为模拟电路的一个基本组成模块，在A/D、D/A转换器、存储器、各种电源管理芯片、压控振荡器等基本模拟电路中都是必不可少的组成部分，对整个电路的性能都起着至关重要的作用

一、Bandgap基本原理

将两个拥有相反温度系数的电压以合适的权重相加，最终获得具有零温度系数的基准电压。因为传统带隙基准的输出值为1.2V，与硅带隙电压Eg/q值基本相等，所以这种基准电压源形象地称为带隙基准源。

历史：Robert Widlar等人在1971年首次提出了带隙基准源的概念，如图示，将具有负温度系数的三极管VBE电压与具有正温度系数的两个三极管VBE电压差∆VBE相结合获得具有零温度系数的基准电压，理论上获得的基准电压不随外界实际温度、电源电压等的变化而变化。

基本表达式：

（1）负温度系数（CTAT）电压的产生

PN结的正向电压和温度呈现负相关特性。双极型晶体管的基极-发射极可以看作是一个PN结，因此，晶体管的导通电压VBE同样与温度呈现负相关性，VBE就可以称做负温度系数电压(CTAT)

工作在放大区的双极型晶体管，它的基极-发射极电压VBE与集电极电流IC以及饱和电流Is的关系如下：

VBE为基极-发射极电压:VBE＝VTln(IC/IS)，Is为饱和电流

正向偏置电流：Ic＝Isexp(VBE/VT)

热电压：VT＝kT/q

Is＝bT4+mexp(-Eg/kT)

VBE对温度求导有：

其中，