SiO2 新型金纳米颗粒修饰二氧化硅纳米片/壳聚糖修饰二氧化硅纳米粒子/厚度可控的纳米二氧化硅修饰毛细管柱/疏水性半导体量子点的二氧化硅修饰

量子点薄膜的制备及其研究进展

一般来说，制备包含量子点的薄膜的主要方法为溶胶-凝胶法和分子自组装法。采用溶胶-凝胶法制备量子点薄膜的工艺过程大致可以分为五步:第一，将前驱体溶解在一定量值的溶液中，根据实验需要再加入特定的试剂，在适宜的条件下使其发生水解和缩合反应，形成溶胶;第二，采用常用的涂膜的方法将溶胶涂覆在基质表面，一般有喷雾涂敷法、旋转涂敷法和浸渍提拉法三种;第三，由于在溶胶涂覆薄膜的过程中，随着溶剂的蒸发和缩合反应的持续进行，溶胶渐变为凝胶，形成三维网状结构，失去流动性;第四，通过干燥处理脱去薄膜中残余的溶剂和水分等，即凝胶的老化;第五，通过热处理除去凝胶中的气孔，使得凝胶更加致密化。

与溶胶-凝胶法相比，基于分子自组装法制备量子点薄膜的工艺较为简单，它是基于分子间氢键、共价缩合或者范德瓦尔斯相互作用的一种制备薄膜的方法。采用该方法制备了光学性能较好的多层量子点薄膜，所使用的量子点为亲水性的CdTe和 ZnSe，交联剂为APS或者MPS，制备的薄膜如图1所示。也有研究者使用“一步法”制备量子点二氧化硅的荧光薄膜，即在将按一定比例涂有Cd、Se前驱体和SOG溶液的玻璃基质放置于240°℃的高温下热处理，其制备过程在通有氮气的管式炉中进行，如图2为所制备的CdSe-SiO2复合薄膜的紫外灯光下的照片及其光谱图。虽然该制备工艺简单，但是其粒径分布不均匀，且量子点间存在严重的团聚现象。然而，使用具有较高荧光性能、良好稳定性能的疏水性 QDs来制备薄膜的报道较少，这也是由与对疏水性量子点进行表面修饰是一个关键性所在。