仁懋GaN器件命名规则全解析

仁懋氮化镓（GaN）器件型号采用 "三段式编码规则" ，通过字母与数字组合精准传递技术参数。  

示例型号：MOTGE65R190Q  

1. 前缀定位技术路线  

   - GE：增强型（E-mode）氮化镓  

   - GD：耗尽型（D-mode）氮化镓  

   技术差异：E-mode器件无需负压关断，驱动电路更简化；D-mode需搭配驱动IC实现常闭特性。  

2. 耐压等级标识

   - 65：650V击穿电压（实际测试值≥700V）  

   -70：700V击穿电压（适配800V母线系统）  

3. 导通电阻精准标注  

   - R190：25℃结温下R_DS(on)=190mΩ  

   - 测试标准：JEDEC JS-709-1A（脉冲法）  

4.封装代码  

   - Q：DFN8×8（尺寸8mm×8mm，支持双面散热）  

   - G：DFN5×6（尺寸5mm×6mm，紧凑型设计）  

产品矩阵与性能对标

| 型号        | 类型 | 耐压(V) | R_DS(on)(mΩ) | 封装 | Q_g(nC)  

| MOTGE65R190Q | E-mode  | 650 | 190                   | DFN8×8    | 8.5    

| MOTGD65R110Q | D-mode  | 650 | 110                   | DFN5×6    | 6.2   

| MOTGE70R350G  | E-mode  | 700 | 350                  | DFN5×6    | 12.8

关键参数解读

E-mode低Qg优势：MOTGE65R190Q的Qg仅8.5nC，支持500kHz高频开关  

D-mode超低内阻：MOTGD65R110Q的R_DS(on)低至110mΩ，导通损耗较硅MOS降低60%