NOR与NAND闪存比较

 

	NOR FLASH	NAND FLASH	OneNand FLASH
	地址线和数据线分开,接口时序同SRAM,易使用	地址/数据线复用，数据位较窄	OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲，一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口，NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列，以及高达5 KB的缓冲RAM。      OneNAND具备NOR和NAND的优点， 它能胜任代码和海量数据存储，同时效率更高。
读写单位	以“字”为基本单位	以“块”为基本单位, 要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块
读取速度	快	较慢
擦除速度	慢，以64-128KB的块为单位	快，以8－32KB的块为单位
写入速度	慢(因为一般要先擦除)	快
存取方式	随机存取速度较快，支持XIP(eXecute In Place，芯片内执行，应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中)。	顺序读取速度较快，随机存取速度慢
单片容量	较小，1－32MB	较大，8－128MB，提高了单元密度
应用场合	适用于代码存储，在嵌入式系统中，常用于存放引导程序、根文件系统等。	适用于数据存储(如大容量的多媒体应用)。在嵌入式系统中，常用于存放用户文件系统等。
共性	先擦后写(先将芯片中对应的内容清空，然后再写入)

 

参考：

http://hi.baidu.com/haozhongtao/blog/item/2ad71e251d75b52cd5074253.html

http://hi.baidu.com/hannongy/blog/item/f3f3410874ed29c83ac763c2.html