关于CMOS

（以下内容大多来自老师的课件结合了自己的理解）        

        MOS管又称金属-氧化物-半导体-场效应管（Metal-Oxide-Semicondaction）,又称绝缘栅型场效应管，从它的结构就能理解这两个名称的由来。

关于N沟道(NPN型)增强型MOS管

一、结构说明

        1.在一块掺杂浓度较低的P 型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度N+ 区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极 D 和源极S。

        2.然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02 )绝缘层膜，再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成 了一个N 沟道 (NPN 型 ) 增强型 MOS 管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。

*引申：什么是P型半导体，什么是N型半导体？

        由于纯净的半导体（如硅）导电性较差，不能直接用来制造晶体管。于是，人们在纯净的半导体中掺入微量杂质元素（如硼、磷），使半导体的导电性能大大增强，这种半导体称为杂质半导体 。

        根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体可分为 P型半导体（或空穴型半导体）和N型半导体

（或电子型半导体）两大类。这里"P”是指“正 positive”的意思，“ N”是指“负negtive”的意思。

        P型半导体：如掺硼。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

        N型半导体：如掺磷。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。（自由电子带负电）

N沟道增强型MOS管

二、工作原理

        通过在栅极（G）和源极（S）之间施加一个正向电压Vgs，在栅极下方的二氧化硅绝缘层中便产生了一个由栅极指向P衬底的电场，从而使P衬底中的少子（电子）向上移动。随着Vgs的升高（大于开启电压Vt时， Vt一般约为 2V），电子大量聚集在绝缘层下方，此时在N型半导体之间就会产生一个导电沟道，这个导电沟道的形态与N型半 导体相同（即多子为电子），所以也叫反型层（反型就是由原来的P型半导体变成了N型半导体）。

        导电沟道的产生使得源极（S）和漏极（D）之间导通，形成了漏极电流Id。控制栅极电压Vgs的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流Id的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。

三、沟道产生夹断的过程

        随着Vds增加，而Vgs保持不变，此时Vgd=Vgs-Vds就会越来越小，当Vgd小到一定程度（即Vgd＜Vt）时，漏极(D)处的电子聚集的就越来越少，漏极就产生了夹断。

        继续增大Vds，夹断区域变大，Id饱和。

 关于N 沟道耗尽型MOS管

结构说明

        耗尽型与增强型的唯一区别就是在栅极（G）下方的二氧化硅绝缘层中掺入了正离子，使得栅极（G）和源极（S）之间不加电压（即Vgs=0），它也有反型层的存在，N半导体是导通的。

         Vgs可以为正、负或者零。当Vgs加上正向电压时，反型层会加大；当Vgs加上负电压时，反型层会减小，当Vgs达到一定的负值之后，直到把反型层“关闭”，此时就会产生夹断。

关于CMOS反相器

一、结构说明

        CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管构成，两个晶体管的栅极相连，接入电路的输入端，PMOS的源极接Vdd，NMOS的源极接地，PMOS与NMOS的漏极相通并且接入输出端。

PMOS作为负载管，NOS作为输入管

*引申：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。

N沟道增强型MOS管它是要Vgd＞Vtn（这里的Vtn是NMOS的开启电压，正值）才开始工作，而P沟道增强型MOS管是要Vgt＜Vtp（这里的Vtp是PMOS的开启电压，负值）才开始工作。

二、工作原理

        上图中，假设NMOS管的开启电压Vtn=2V, PMOS管的开启电压Vtp=-2V，Vdd需要大于Vtn+|Vtp|，这里假设Vdd=5V

根据工作原理推导出它们的导通情况如下：

（这里只对表格中的第二行做个说明）

        当输入端输入高电平（5V）的时候，NMOS栅源电压Vgsn(5V)大于开启电压Vtn(2V)，此时NMOS导通；PMOS栅源电压Vgsp（5V）与PMOS的源极接的Vdd（5V）相等，不会产生电势差，此时PMOS截止，可以理解为PMOS的电阻无穷大，此时Vdd端的5V电压完全加载在PMOS上，所以输出Vo为低电平。

将导通情况转化为真值表如下：

 从真值表可以看出L=A'，实现了输出与输入反向的效果。