关于CMOS

本文介绍了MOS管的结构和工作原理,包括N沟道增强型和耗尽型MOS管,详细解析了沟道产生夹断的过程。此外,还探讨了CMOS反相器的构造,由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管组成,通过真值表展示了其如何实现反相功能。
摘要由CSDN通过智能技术生成

(以下内容大多来自老师的课件结合了自己的理解)        

        MOS管又称金属-氧化物-半导体-场效应管(Metal-Oxide-Semicondaction),又称绝缘栅型场效应管,从它的结构就能理解这两个名称的由来。

关于N沟道(NPN型)增强型MOS管

一、结构说明

        1.在一块掺杂浓度较低的P 型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度N+ 区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极 D 和源极S。
        2.然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02 )绝缘层膜,再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成 了一个N 沟道 (NPN ) 增强型 MOS 管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
*引申:什么是P型半导体,什么是N型半导体?
        由于纯净的半导体(如硅)导电性较差࿰
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