(以下内容大多来自老师的课件结合了自己的理解)
MOS管又称金属-氧化物-半导体-场效应管(Metal-Oxide-Semicondaction),又称绝缘栅型场效应管,从它的结构就能理解这两个名称的由来。
关于N沟道(NPN型)增强型MOS管
一、结构说明
1.在一块掺杂浓度较低的P
型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度N+
区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极
D
和源极S。
2.然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02 )绝缘层膜,再在这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成 了一个N
沟道
(NPN
型
)
增强型
MOS
管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。
*引申:什么是P型半导体,什么是N型半导体?
由于纯净的半导体(如硅)导电性较差