常用的一些LDO芯片及使用

LDO也是电赛中常用的电源模块。相比DCDC以及稳压器,LDO的跌落电压更小,因此两者适用场合不同。下面介绍一些常用的LDO及其使用:

1. TPS7A4501(正降压)

数据手册:https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/tps7a4501-sp.pdf
很好用的一款芯片,其引脚为:
在这里插入图片描述
输出电压可调,典型电路为:
在这里插入图片描述

输出电压:
V OUT  = 1.21   V ( 1 + R 2 R 1 ) + ( I A D J ) ( R 2 ) V A D J = 1.21   V I A D J = 3 μ A  at  2 5 ∘ C  Output range  = 1.21   V  to  20   V \begin{aligned} &V_{\text {OUT }}=1.21 \mathrm{~V}\left(1+\frac{R 2}{R 1}\right)+\left(I_{A D J}\right)(R 2) \\ &V_{A D J}=1.21 \mathrm{~V} \\ &I_{A D J}=3 \mu A \text { at } 25^{\circ} \mathrm{C} \\ &\text { Output range }=1.21 \mathrm{~V} \text { to } 20 \mathrm{~V} \end{aligned} VOUT =1.21 V(1+R1R2)+(IADJ)(R2)VADJ=1.21 VIADJ=3μA at 25C Output range =1.21 V to 20 V

2. TPS72301(负LDO)

数据手册:https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/tps723.pdf

一开始把负LDO的功能搞错了。这里注意一下,负LDO不是实现正压转负压,而是输入一个负电压,输出一个稳定的负电压。TPS72301可以实现这样的功能(输入范围为-11V~0.3V)。其管脚图:
在这里插入图片描述
输出可调,其典型电路为:
在这里插入图片描述
计算公式:
V O U T = − 1.186 ( 1 + R 1 R 2 ) R 1 + R 2 ≈ 100 k Ω \begin{aligned} \mathrm{V}_{\mathrm{OUT}}=&-1.186\left(1+\frac{\mathrm{R} 1}{\mathrm{R2}}\right) \\ & \mathrm{R} 1+\mathrm{R} 2 \approx 100 \mathrm{k} \Omega \end{aligned} VOUT=1.186(1+R2R1)R1+R2100kΩ

<think>好的,用户想找关于LDO芯片仿真的资料或方法,特别是下载资源。首先,我需要回忆一下LDO仿真的基本步骤和常用工具。根据用户提供的引用内容,里面提到了使用virtuoso IC 618进行仿真,包括环路增益仿真(stb仿真)和电压补偿设置。这可能涉及到电路设计软件如Cadence的工具,以及具体的仿真步骤。 用户的需求可能包括具体的仿真方法、工具使用指南、参数设置步骤,以及如何获取相关资料。需要先整理现有的信息,比如引用[1]和[2]中提到的内容,然后补充常见的仿真方法,比如瞬态分析、负载调整率、线性调整率等。 然后要考虑用户可能需要下载的资料类型,比如实验手册、仿真模型、技术文档等。需要建议可靠的来源,例如厂商官网、学术平台、技术论坛,同时提醒注意版本兼容性和参数设置问题。 另外,用户可能在仿真过程中遇到问题,比如没有规律的结果,需要优化参数或校准方法。引用中提到的电压补偿设置步骤和功耗管理可能对用户有帮助,需要将这些步骤详细说明,并指导如何应用到仿真中。 最后,生成相关问题时,要覆盖用户可能关心的其他方面,比如仿真工具的选择、参数优化、常见问题解决、实际应用案例等。确保问题能够引导用户深入理解LDO仿真,并找到所需的资料。</think>关于LDO芯片仿真的方法和资料获取,以下是系统化的解决方案: ### 一、LDO仿真的核心方法 1. **稳定性分析(STB仿真)** - 使用Cadence Virtuoso的stb分析工具,搭建开环测试电路 - 关键观察参数:相位裕度(建议>45°),增益裕度(建议>10dB)[^1] - $$ PM = \phi_{gain\_margin} - (-180^\circ) $$ 2. **瞬态响应仿真** - 测试负载阶跃变化时的输出电压波动 - 典型指标:建立时间<10μs,过冲电压<5% 3. **PSRR分析** - 通过AC扫描分析不同频率下的电源抑制比 - 使用公式:$ PSRR(f) = 20\log\left|\frac{V_{out}(f)}{V_{in}(f)}\right| $ ### 二、关键仿真步骤(以Virtuoso为例) ```tcl # 典型仿真脚本示例 simulator( 'spectre ) design( "ldo_test" ) analysis('ac ?start "1" ?stop "100Meg") analysis('tran ?stop "100u" ) temp( 27 ) run() ``` ### 三、资料获取渠道 1. **厂商资源** - TI/ADI等官网提供LDO仿真模型(.lib文件) - 应用手册如《LDO Design and Simulation Guide》 2. **学术平台** - IEEE Xplore搜索"LDO stability analysis" - 知网检索"低压差线性稳压器仿真技术" 3. **实践案例库 - 参考GitHub开源项目:LDO_Design_Kit(包含仿真测试用例) ### 四、注意事项 1. **参数校准**需按芯片手册要求的时序操作: - 先擦除Flash页面 - 写入16位校准值(如0x3A6B) - 验证写入数据[^2] 2. **仿真误差处理** - 添加等效串联电阻(ESR)模型 - 考虑温度系数:$ \Delta V = TC \times (T_j - 25^\circ C) $
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