LDO芯片手册解读


前言

在现代电子设计中,低压差线性稳压器(LDO)因其高效、低噪声和简单易用的特性,广泛应用于各种电源管理场景。本文将以MD7612系列的MD7612A33PA1为例,详细解读LDO的关键参数、功能和应用。


一、芯片封装

器件封装
上图给出了该型号芯片的不同封装版本以及各个管脚的作用。

二、极限参数

极限参数
上表给出了一些参数的最大额定值,超过此范围将会对芯片造成不可逆的影响,为了使芯片正常工作,需要将以上参数都保持在工作范围内。
V I N V_{IN} VIN:输入电压的范围限制在-0.3V~45V之间,否则会对芯片造成损害。
V O U T V_{OUT} VOUT:输出电压的范围限制在 V S S V_{SS} VSS-0.3V~ V I N V_{IN} VIN+0.3V之间,与 V I N V_{IN} VIN的大小有关。
P D P_{D} PD:表示器件的功耗,表中给出了在不同封装下期间的最大功耗值。功耗的计算公式为:
P D = ( V I N − V O U T ) ∗ I O U T P_{D}=(V_{IN}-V_{OUT})*I_{OUT} PD=(VINVOUT)IOUT其中 I O U T I_{OUT} IOUT为输出电流。
R θ J B R_{\theta JB} RθJB:热阻,表示芯片在单位功耗下产生的温升。
ESD HBM:表示芯片能够承受6000V的人体模型静电放电。

三、电气特性

电气特性1
电气特性2
V D R O P V_{DROP} VDROP :表示LDO在保持稳定输出电压时,输入电压与输出电压之间的最小差值。换句话说, V D R O P V_{DROP} VDROP 是LDO正常工作时,输入电压必须比输出电压高出的最低电压值。如果输入电压低于 V O U T + V D R O P V_{OUT}+V_{DROP} VOUT+VDROP,LDO将无法正常工作,输出电压会下降。上表给出了:
输出电流为10mA时: V D R O P V_{DROP} VDROP 典型值为10mV,最大值为20mV。
输出电流为1A时: V D R O P V_{DROP} VDROP 典型值为1000mV,最大值为1800mV。

Line Regulation(线性调整率):是衡量电源器件(如LDO)在输入电压变化时,保持输出电压稳定性的能力。它表示输入电压变化对输出电压的影响程度,通常以百分比或mV/V为单位。Line Regulation 的值越小,表示LDO对输入电压变化的抑制能力越强,输出电压越稳定。

Load Regulation(负载调整率):是衡量电源器件(如LDO)在负载电流变化时,保持输出电压稳定性的能力。它表示负载电流变化对输出电压的影响程度,通常以百分比或mV为单位。Load Regulation 的值越小,表示LDO对负载电流变化的抑制能力越强,输出电压越稳定。

Temperature Stability(温度稳定性):是衡量电源器件(如LDO)在温度变化时,保持输出电压稳定性的能力。它表示温度变化对输出电压的影响程度,通常以ppm/°C(百万分之一每摄氏度)为单位。Temperature Stability 的值越小,表示LDO对温度变化的抑制能力越强,输出电压越稳定。

I G N D I_{GND} IGND:是指通过LDO的GN引脚流入或流出的电流。它是LDO工作时的一个重要参数,反映了器件的静态电流和动态电流消耗情况。在实际设计中,合理选择 I G N D I_{GND} IGND较低的LDO可以提高电源系统的效率和可靠性,特别适合对功耗要求较高的应用场景。

I S H U T I_{SHUT} ISHUT:表示在设备处于关闭或低功耗模式时,从电源输入端流入设备的电流。对于MD7612系列芯片, I S H U T I_{SHUT} ISHUT是指在使能引脚(EN)被拉低(即设备处于关闭状态)时,芯片从输入电源(VIN)消耗的电流。

I S H O R T I_{SHORT} ISHORT:表示在输出端(VOUT)与地(GND)之间发生短路时,芯片能够提供的最大输出电流。短路电流是芯片在输出端短路情况下的自我保护机制的一部分,用于限制电流以防止芯片因过流而损坏。

PSRR :电源抑制比,也称纹波抑制比,反映了LDO对于输入信号中的干扰信号的抑制能力。PSRR通常以分贝(dB)为单位表示,数值越高,表示芯片对输入电源噪声或波动的抑制能力越强。

四、典型电路

典型应用
给出了芯片典型的外围电路图,一般情况下还会对 C I N C_{IN} CIN C O U T C_{OUT} COUT分别并联一个0.1uF的去耦电容。

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