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在第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）固态紫光器件技术分会上，河北半导体研究所高级工程师周幸叶博士讲述了用于紫外探测高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列的研究进展。雪崩光电二极管（APD）具有高内部增益和高响应度的优点，能够有效地探测微弱信号，提高器件的信噪比。基于SiC的APD紫外探测器在火灾预警、环境检测、紫外通讯和天文研究等领域有着广阔的应用前景，其发展也引起研究人员密切的关注。但是当前大部分的研究工作主要集中在如何改善碳化硅的材料的晶体质量和器件的工艺制备流程上，而对

此前，小赛给大家简单普及了金属与半导体之间的两种接触类型：欧姆接触与肖特基接触，二者也凭借各自的优势被研究人员充分应用。本周小赛给大家主要介绍的是基于肖特基接触类型的MSM型光电探测器的基本原理。众所周知，光探测器可以将光信号转换成电信号；然而，根据光子能量的大小，MSM型光电探测器分为两种工作模式：模式1：当光子能量大于材料的禁带宽度时（hv>Eg），半导体内部会产生大量的电子-空穴对，在电场的作用下形成稳定的光电流，具体如图（a）所示。该工作特点与PIN型光电探测器类似，而且当反向偏压足够大，

大家好，本周给大家带来的是《涨知识啦》系列内容：PIN型光电探测器的基本原理。众所周知，PIN二极管是由一层本征（或低掺杂）层夹在重掺杂的P层和N层之间所组成的三层结构器件，如下图所示。其中，金属表面打开了一个窗口用来接收探测光源，同时，减薄顶部的半导体区域有利于降低该层对光源的吸收，合理地设计i层的宽度有助于获得所需要的特征响应。由于i层为轻掺杂，在零偏压或低的反偏电压下，该层处于完全耗尽的状态；鉴于两侧均为重掺杂区，因此器件的空间电荷区主要集中在i层中，具体如下图所示。从图中可以看出，耗尽区主要集中

现如今，光电探测器已经应用到各个领域。通过与LED或激光二极管结合，光电探测器可用于电路隔离器、入侵报警以及激光雷达等系统，因此光电探测器的应用领域和范围都将随着时间的推移而不断扩大，本期的内容就先给大家简单介绍一下pn结光电探测器的基本工作原理。就pn结光电探测器而言，光可以穿透至冶金结邻近区域的pn结二极管中，该区域因吸收光子而产生电子-空穴对，如下图所示。在p型一侧或n型一侧不超过一个扩散长度的准中性区中，非平衡少数载流子扩散到耗尽区；随后，这些空间电荷区的载流子和光生载流子通过电场进行输运，即