LED
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Simucal
这个作者很懒,什么都没留下…
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利用侧壁高阻结构调控Micro-LED中电流的横向扩展
现如今,智能手机、平板、电脑等高分辨率显示产品的快速发展,促使整个行业对高性能显示器的需求不断增加。 在过去的几十年里,主流的显示系统都是基于液晶显示(LCD)和有机发光二极管(OLED)这两种技术,这两种显示技术几乎占据了整个智能显示领域。然而,现阶段对于LCD和OLED这两种显示技术仍存在一些不完善的地方,比如,LCD存在颜色转换效率差、色彩饱和度和对比度低等问题;OLED的亮度以及寿命也有待进一步提升。基于Micro-LED的显示技术在亮度、寿命、分辨率和效率等方面具备优异性,因此Micro-LE..原创 2021-10-15 14:09:11 · 3578 阅读 · 0 评论 -
2021-09-14光学与电学协同仿真模型助力开发高效率AlGaN基深紫外LED
提高深紫外LED光提取效率关键手段之一是降低p-GaN层对深紫外光吸收而产生的光损耗效应,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队最近依托DUV LED光学与电学协同仿真模型技术,提出了两种行之有效的解决方案。具体成果如下:具有横向过刻蚀p-GaN层的DUV LED结构在具有倾斜侧壁阵列的DUV LED结构中, p电极并没有完全覆盖p-GaN层,这就导致了电流主要在有电极覆盖的区域注入,而外围区域电流密度较小,因此倾斜侧壁LED的发光主要是集中于电极的下方(即Device 1)。然而p-GaN层对深紫外光的吸原创 2021-09-14 11:37:21 · 386 阅读 · 0 评论 -
《涨知识啦36》---Micro-LED巨量转移技术
目前, Micro-LED的显示技术在制造上面临两个主要的技术挑战:一个是全彩显示(Full-color display),另外一个为巨量转移(Mass transfer)。本周“涨知识啦”给大家介绍的就是其中的巨量转移技术,它是Micro-LED显示技术中不可或缺的一个重要环节。巨量转移又称薄膜转移,就是将Micro-LED器件转移到具有特定的驱动基板上,并组装成二维周期阵列。通常500 PPI(Pixels Per Inch)的手机屏幕需要将近800万个像素颗粒,因此Micro-LED的显示技术中转移原创 2021-06-03 17:07:14 · 1729 阅读 · 0 评论 -
《涨知识啦34》-LED器件的I-V特性曲线
LED(Light-emitting diodes)作为一种电光转换器件,不仅要求其具有较高的外量子效率,优良的电学(I-V)特性也是决定其电光转化效率的关键因素之一。因此对I-V特性的深入研究有助于设计制备高性能的LED器件。在正常工作状态下,LED本质上属于一种正偏PN结,所以理想I-V特性曲线如图 1实线所示,然而,在实际的仿真设计、实验器件制备中,我们经常会遇到实际输出的I-V特性曲线严重地偏离理想工作状态,那么影响LED器件的I-V特性的因素有哪些呢?图 1 串联电阻和并联电阻改变对LED器原创 2021-05-12 10:26:22 · 4284 阅读 · 0 评论 -
《涨知识啦31》-电流拥挤效应对深紫外发光二极管光电性能的影响
本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是深紫外发光二极管中的电流拥挤效应。目前深紫外发光二极管(DUV LED)主要采用倒装结构来降低紫外光自吸收的问题,所以芯片的p-型电极焊盘和n-型电极焊盘只能制备在外延片表面的同一侧,常见器件结构及等效电路如图1所示。由于电流扩展层(CL)的厚度远小于n型AlGaN层的厚度,所以CL层的横向电阻RCL大于n型AlGaN层的横向电阻Rn,也就是说电流J1通过p-型电极焊盘下方的路径时受到的阻力远小于电流Jn受到的阻力,导致器件内部产生电流拥挤效应, 即p型电极焊盘下方的电流密原创 2021-03-11 11:15:44 · 1249 阅读 · 0 评论 -
2021-02-23
纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响图形化蓝宝石衬底已经在可见光LED领域得到广泛的应用,其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量,还可以提高LED的光提取效率。基于先进的半导体仿真设计平台,我司技术人员开发出了纳米图形衬底(NPSS)上的深紫外LED(DUV LED)的计算模型。研究发现:NPSS能够提高DUV LED中横向传播的TM极性光的光提取效率,但会抑制偏向垂直传播的TE极性光的光提取效率(如图1所示)。造成这种现象的原因是,当DUV LED中采用NPSS结构时,NPSS会把部分原创 2021-02-23 10:45:41 · 172 阅读 · 0 评论