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为弥补显示领域长波长Micro-LED的不足，针对GaN基黄光Micro-LED的发光效率问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了一套切实可行的器件设计方案，并对其器件物理机理进行了详细阐述。该成果被发表在应用物理及光学领域权威SCI期刊Applied Optics [Appl. Optics, 60(11), 3006-3012 (2021)]。“阶梯阱”多量子阱结构先前已被多次报道，并且该量子阱结构有助于提高GaN基蓝、绿光LED器件的空穴注入效率和载流子波函数重叠率，从而使器件外量子效率得到提升

相较于传统的LCD和OLED而言，基于Micro-LEDs的显示技术有着诸多优势，这也使得其有望成为下一代显示技术的主流。当前基于Micro-LED的显示技术仍然需要克服很多瓶颈，除了工艺制造中全彩显示和巨量转移两个难题以外，基于GaN基的Micro-LED器件的低EQE也是亟待解决的关键问题之一。造成GaN基的Micro-LED器件低EQE的主要原因在于小尺寸器件下，侧壁缺陷造成的非辐射复合对器件性能的影响。针对这一问题，主要有以下几个方法去解决：从工艺制备角度来说，可以通过对侧壁进行热退火、对侧壁进行化