5.SRAM

small0dragon

于 2024-03-03 20:27:53 发布

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分类专栏： C 协议文章标签：物联网

本文链接：https://blog.csdn.net/small0dragon/article/details/136437453

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内部结构

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地址数据接口
存储矩阵
控制电路

信号线

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SRAM的控制比较简单，只要控制信号线使能了访问，从地址线输入要访问的地址，即可从I/O数据线写入或读出数据。

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SRAM存储矩阵：

SRAM内部包含的存储阵列，可以把它理解成一张表格，数据就填在这张表格上。和表格查找一样，指定一个行地址和列地址，就可以精确地找到目标单元格而这样的表则被称为存储矩阵。

数据访问：
当选中一个数据单元后，可以通过UB#或 LB#其中一个设置为低电平，I/O会对应输出该地址的高 8位和低 8位数据，因此它们被称为数据掩码信号。

控制电路：
控制电路主要包含了片选、读写使能以及上面提到的宽度控制信号UB#和LB#。利用CE#片选信号，可以把多个SRAM芯片组成一个大容量的内存条。OE#和WE#可以控制读写使能，防止误操作。

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重点时序：
读周期时间(tRC)
地址建立时间(tAA)
OE建立时间(tDOE)

读时序

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写时序

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重点时序：
写周期时间(tWC)
地址建立时间(tSA)
WE脉宽(tPWE)

读写流程

读写时序的流程很类似，过程如下：
(1) 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址；
(2) 控制片选信号CE#使能存储器芯片；
(3) 若是要进行读操作，则控制读使能信号OE#表示要读数据，若进行写操作则控制写使能信号WE#表示要写数据；
(4) 使用掩码信号LB#与UB#指示要访问目标地址的高、低字节部分；
(5) 若是读取过程，存储器会通过数据线向主机输出目标数据，若是写入过程，主要使用数据线向存储器传输目标数据。

STM32-FSMC外扩SRAM

FSMC简介

STM32F4系列芯片使用FSMC外设来管理扩展的存储器，FSMC是Flexible Static Memory Controller的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括SRAM、NOR FLASH以及NAND FLSAH类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器。而在STM32F429系列的控制器中，它具有FMC外设，支持控制SDRAM存储器。

通讯引脚:
由于控制不同类型存储器的时候会有一些不同的引脚，看起来有非常多，其中地址线FSMC_A和数据线FSMC_D是所有控制器都共用的。

注：其中比较特殊的FSMC_NE是用于控制SRAM芯片的控制信号线，STM32具有FSMC_NE1/2/3/4号引脚，不同的引脚对应STM32内部不同的地址区域。

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注：其中比较特殊的FSMC_NE是用于控制SRAM芯片的控制信号线，STM32具有FSMC_NE1/2/3/4号引脚，不同的引脚对应STM32内部不同的地址区域。

存储器控制器:
上面不同类型的引脚是连接到FSMC内部对应的存储控制器中的NOR/PSRAM/SRAM设备使用相同的控制器，NAND/PC卡设备使用相同的控制器，不同的控制器有专用的寄存器用于配置其工作模式。
相关控制寄存器:
控制SRAM的有FSMC_ BCR 、FSMC_ BTR以及FSMC_BWTR寄存器。每种寄存器都有4个，分别对应于4个不同的存储区域，各种寄存器介绍如下：

FSMC_BCR控制寄存器：可配置要控制的存储器类型、数据线宽度以及信号有效极性能参数。
FMC_BTR时序寄存器：用于配置SRAM访问时的各种时间延迟，如数据保持时间、地址保持时间等。
FMC_BWTR写时序寄存器：与FMC_BTR寄存器控制的参数类似，它专门用于控制写时序的时间参数。

时钟控制逻辑:
FSMC外设挂载在AHB总线上，时钟信号来自于HCLK(默认168MHz)，控制器的同步时钟输出就是由它分频得到。
例如，NOR控制器的FSMC_CLK引脚输出的时钟，它可用于与同步类型的SRAM芯片进行同步通讯，它的时钟频率可通过FSMC_BTR寄存器的CLKDIV位配置，可以配置为HCLK的1/2或1/3，也就是说，若它与同步类型的SRAM通讯时，同步时钟最高频率为84MHz。

FSMC地址映射

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FSMC的NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址被映射到了External RAM地址空间内，使得访问FSMC控制的存储器时，就跟访问STM32的片上外设寄存器一样。

FSMC把整个External RAM存储区域分成了4个Bank区域，并分配了地址范围及适用的存储器类型，如NOR及SRAM存储器只能使用Bank1的地址。

FSMC连接好外部的存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据。
FSMC访问存储器的方式与I2C EEPROM、SPI FLASH的不一样，后两种方式都需要控制I2C或SPI总线给存储器发送地址，然后获取数据；在程序里，这个地址和数据都需要分开使用不同的变量存储，并且访问时还需要使用代码控制发送读写命令。
而使用FSMC外接存储器时，其存储单元是映射到STM32的内部寻址空间的；在程序里，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容，FSMC外设会自动完成数据访问过程，读写命令之类的操作不需要程序控制。

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在NOR及SRAM区域，每个Bank的内部又分成了4个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如FSMC_NE[4:1]信号线可用于选择BANK1内部的4小块地址区域，当STM32访问0x68000000-0x6BFFFFFF地址空间时，会访问到Bank1的第3小块区域，相应的FSMC_NE3信号线会输出控制信号。

FSMC时序控制

FSMC读时序：

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FSMC外设支持输出多种不同的时序以便于控制不同的存储器，它具有ABCD四种模式，下面我们仅针对控制SRAM使用的模式A进行讲解。

注：内核发出访问某个指向外部存储器地址时，FSMC外设会根据配置控制信号线产生时序访问存储器。

FSMC写时序：

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注：内核发出访问某个指向外部存储器地址时，FSMC外设会根据配置控制信号线产生时序访问存储器。

代码例子

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main.c

/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "main.h"
#include "usart.h"
#include "gpio.h"
#include "fsmc.h"

/* Private includes ----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN Includes */
#define SRAM_BANK_ADDR ((uint32_t)0x68000000)//当STM32访问**0x68000000-0x6BFFFFFF**地址空间时，会访问到Bank1的第3小块区域
/* USER CODE END Includes */

/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN PTD */
#include<stdio.h>
/* USER CODE END PTD */


/* Private function prototypes -----------------------------------------------*/
void SystemClock_Config(void);
/* USER CODE BEGIN PFP */

/* USER CODE END PFP */

/* Private user code ---------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN 0 */

/* USER CODE END 0 */

/**
  * @brief  The application entry point.
  * @retval int
  */
int main(void)
{
	
  /* USER CODE BEGIN 1 */
	
  /* USER CODE END 1 */

  /* MCU Configuration--------------------------------------------------------*/

  /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash interface and the Systick. */
  HAL_Init();

  /* USER CODE BEGIN Init */

  /* USER CODE END Init */

  /* Configure the system clock */
  SystemClock_Config();

  /* USER CODE BEGIN SysInit */

  /* USER CODE END SysInit */

  /* Initialize all configured peripherals */
  MX_GPIO_Init();
  MX_FSMC_Init();
  MX_USART1_UART_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */
	printf("this is fsmc test start\n");
	
	uint8_t *p = (uint8_t *)SRAM_BANK_ADDR ;
	uint8_t i;
	
	//写内存
	for(i = 1 ;i<=10;i++){
		printf("i=%d,p=%p\n",i,&p[i]);
		p[i] = i;
	}
	//读内存
	printf("p[%d] = %p,data[%d] = %d\n",0,&p[0],0,p[0]);
	for(i=1;i<=10;i++){
		printf("p[%d] = %p,data[%d] = %d\n",i,&p[i],i,p[i]);
	}
	
	printf("this is fsmc test end\n");
  /* USER CODE END 2 */

  /* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */
  while (1)
  {
    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */
  }
  /* USER CODE END 3 */
}