嵌入式硬件
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天涯铭月刀
这个作者很懒,什么都没留下…
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PCB电路板各层详解
根据作用不同可将PCB的各层信号分为:机械层、信号层、丝印层、电源层、阻焊层、助焊层、锡膏层。原创 2024-03-30 07:31:16 · 331 阅读 · 0 评论 -
三极管工作原理及典型电路
三极管基本原理及典型应用电路原创 2024-03-16 17:19:20 · 921 阅读 · 0 评论 -
RC522刷卡电路设计及程序
RC522刷卡电路设计与程序设计原创 2024-03-13 17:45:00 · 1333 阅读 · 0 评论 -
韦根协议刷卡原理及代码实现
讲解韦根协议的基本原理,并通过引脚电平变化中断实现韦根协议刷卡。原创 2024-03-09 11:02:45 · 481 阅读 · 0 评论 -
齐纳安全栅工作原理与设计
防爆安全栅设计计算流程原创 2024-02-03 07:51:53 · 388 阅读 · 0 评论 -
三极管控制元器件设计
三极管作为开关控制设备原理及案例原创 2024-03-06 17:06:41 · 159 阅读 · 0 评论 -
DC-DC升压BOOST电路参数计算
DC-DC升压BOOST电路原理及参数计算公式原创 2024-02-22 08:42:07 · 429 阅读 · 0 评论 -
光耦输入输出侧电阻计算
合理计算光耦输入输出电阻,并以TLP521为例根据光耦参数计算输入输出侧电阻。原创 2024-01-31 19:00:00 · 1059 阅读 · 2 评论 -
ST-LINK V2无法连接和下载失败原因解析
ST-LINK Utility连接失败,st-link v2下载失败,flash dowload failed-"cortex-m3"原因分析及解决方法。原创 2022-04-19 15:45:03 · 10136 阅读 · 0 评论 -
单片机的存储、堆栈与程序执行方式
栈的大小是由编译器在编译时确定的,通常是根据函数的嵌套深度和局部变量的大小来决定的。堆是用来存储动态分配的内存空间的区域。在单片机中,堆的大小取决于程序的需求,但是总大小不能超过单片机硬件的实际RAM大小。那么程序在运行的时候,我们栈的空间超过本身设置的空间,进入到堆里面,那么程序是不会出错的;单片机中的堆和栈是用来存储程序运行时的数据的两个重要区域。堆和栈都是用来存储程序运行时的数据的区域,但是它们的分配和使用方式有所不同。单片机的RAM:64KB,一般都被分配为堆、栈、变量等的空间。原创 2023-12-26 12:45:00 · 1742 阅读 · 0 评论 -
几种串口扩展电路
CH432 是双 UART 芯片,包含两个兼容 16C550 的异步串口,支持半双工收发自动切换和 IrDA 红外编解码,支持最高 4Mbps 的通讯波特率,可以用于单片机/嵌入式系统的 RS232 串口扩展、带自动硬件速率控制的高速串口、RS485 通讯、IrDA 通讯等。CH438 是八 UART 芯片,包含八个兼容 16C550 或者 16C750 的异步串口,支持最高 4Mbps 的通讯波特率,可以用于单片机/嵌入式系统的 RS232 串口扩展、带自动硬件速率控制的高速串口、RS485通讯等。原创 2023-12-25 07:55:47 · 1767 阅读 · 0 评论 -
防反接电路与MOS管防反接深入解析
而当电源的极性反接时,MOS管处于截止状态,电流无法通过,从而实现了防反接的作用。而当电源的极性反接时,稳压管反向导通,保险丝会熔断,切断电路,从而保护后级电路的安全运行。MOS管经常被要求数十K乃至数M的开关频率,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。2、减小振荡,MOS管接入电路,也会有引线产生的寄生电感的存在,与寄生电容一起,形成LC振荡电路。原创 2023-12-21 08:09:05 · 1937 阅读 · 0 评论 -
阻抗匹配电阻原理及其应用
PCB的单线阻抗一般会设计成50Ω,发射端阻抗一般是17到40,而接收端一般是MOS管的输入,阻抗是比较大的,所以信号在接受端会产生反射,反射的信号又与源信号叠加,这样就会在接收端反复反射,直到趋于稳定。2)SPI的速率较高,串联一个电阻,与线上电容和负载电容构成RC电路,减少信号陡峭,避免过冲,过冲有时候会损坏芯片GPIO,当然对EMI也有好处,尤其是高速电路。因为这种干扰或者耦合到的一些毛刺,它的电压幅值可能跟正常信号查不到,但是它的整个能量是非常小的,经过一个电阻后,基本就可以把它吸收了。原创 2023-12-02 22:00:00 · 751 阅读 · 2 评论 -
DCDC降压BUCK电路参数计算
DC-DC电路电感、输入电容、输出电容计算原创 2023-11-27 19:00:00 · 2900 阅读 · 0 评论 -
3.3VPWM转24VPWM电路
当VGS保持不变,随着VDS的增大,VGD逐渐减小,导致靠近漏极D一侧的耗尽层变宽,导电沟道变窄,但漏极电流Id随着VDS的增大而线性增大。Q1导通,Vgs=12v-24v=-12v<Vt=-2.5v ,Q4导通,PWM_OUT1=24V;Q1截止,Vgs=0v>Vt=-2.5v ,Q4截止,PWM_OUT1=0V;Q2导通,VGS=5V>Vt=2.5V,Q3导通,PWM_OUT2=24V;当0>VGS>VGS(th),VDS<0,PMOS管截止。当VGS<VGS(th)<0,VDS<0,PMOS管导通。原创 2023-11-27 20:00:00 · 931 阅读 · 0 评论 -
运算放大器原理及其应用
运算放大器具有高输入阻抗,低输出阻抗,对前后级电路起到了隔离和缓冲的作用。最终求得差分放大器的输出为:Uo=(Rf/R1)(Ui2-Ui1)R5、R8分压得到最大电压为3.7/2=1.85V的运放输入电压。根据差分放大器的计算流程推导可得Uo=Ui【1+(Rf/R1)】根据差分放大器的计算流程推导可得Uo=-Ui(Rf/R1)虚短-运放”-“端与”+"端电位相同,即V+=V-;虚断–运放的"-“端、”+“端的引脚电流接近为0;运放推导的两个重要概念:虚短、虚断。以差分放大器为例进行推导分析。原创 2023-12-02 19:00:00 · 1138 阅读 · 0 评论 -
电荷泵升压/降压电路
当B点电平为10V时,会给C9进行充电,电流经过BAV99的32管脚接地,所以A2点电平为0V.当B点电平为0V时,C9左边相当于接地,由于电容的电压不能突变,右边表现形式逐渐变为-10V,BAV99的31管脚导通,再经过两个BZT52B3V6稳压管的稳压稳定在-7.2V左右。5V_PLUS=0V时,C1电压不能突变,C1下节点电压依然比C1上节点电压高5V-Va,但此时C1下节点接地,电流回路C1-C2-D3,Vout=Va-5V;VCOM在10V左右。1、10V的VCOM电压由DC-DC芯片直接得到。原创 2023-11-28 20:30:00 · 938 阅读 · 0 评论 -
DCDC电感发热啸叫原因分析
过载后,DCDC内部限流保护电路会自动关闭芯片然后再开启,开关频率进入人耳听觉频率范围之内。轻载时DCDC芯片会进入一种低开关频率的脉冲阶跃模式,开关频率进入人耳听觉频率范围之内。计算得L=17.6367uh 远大于>推荐的电感值范围 电感饱和严重发热 甚至啸叫。计算得L=5.8789uh 已经>推荐的电感值范围 电感饱和发热。当输出电流为0.6A 输入电压为4.2V时:此时满载。发热原因:电感饱和,实际使用的电感值原创 2023-11-24 21:30:00 · 1887 阅读 · 1 评论 -
DCDC前馈电容与RC串并联电路
当输入信号频率小于f0时,信号相对电路为直流,电路的总阻抗等于 R1;当频率高到一定程度后总阻抗为 0。当电路频率增加,输出电压增大时,RC并联电路阻抗减小,反馈回路电压更快增大,DCDC芯片可以更快的调节电压,降低纹波;当电路频率减小,输出电压减小时,RC并联电路阻抗增大,反馈回路电压更快减小,DCDC芯片可以更快的调节电压。RC 串联的转折频率: f0=1/(2πR1C1),当输入信号频率大于 f0 时,整个 RC 串联电路总的阻抗基本不变了,其大小等于 R1。当电路频率减小,RC并联电路阻抗增大。原创 2023-11-30 21:45:00 · 851 阅读 · 0 评论 -
场效应管工作原理分析及总结
场效应管按结构不同可以分为:结型场效应管和绝缘型场效应管;按工作状态不同可以分为:增强型(不存在原始导电沟道)和耗尽型(存在原始导电沟道);根据导电沟道不同可以分为:N沟道(NPN)和P沟道(PNP);原创 2022-05-25 15:35:01 · 9486 阅读 · 1 评论 -
推挽输出、开漏输出、上拉输入、下拉输入、浮空输入。
讲解推挽输出、开漏输出、上拉输入、下拉输入、浮空输入原创 2024-01-17 07:47:49 · 528 阅读 · 0 评论