单P沟道,-30V,-3.1A,功率MOSFET 描述 WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714318 超高密度电池设计 出色的导通电阻,可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器 DC-DC转换器电路 电源开关 负载开关 充电