WPM1488-3/TR P通道增强功能MOS场效应晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2023-08-30 09:39:19 发布
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分类专栏： WILLSEM 文章标签： WPM1488-3/TR 单P沟道功率MOSFET WPM1488功率MOSFET场效应晶体管 WPM1488-3/TR功率晶体管 WPM1488-3/TR单P沟道功率MOSFET场效应管
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版权
本文介绍了WPM1488-3/TR单P沟道功率MOSFET，这是一种采用先进沟槽技术的器件，适合用于DC-DC转换器、电源开关和充电电路。特性包括超低导通电阻、低阈值电压以及SOT-323的小型封装。应用领域涵盖继电器、电机、LED驱动器等。绝对最大额定值包括漏源电压、栅源电压和连续漏极电流等，并提供了不同温度下的功耗数据。
摘要由CSDN通过智能技术生成

WPM1488-3/TR
单P沟道，-12V，-1.4A，功率MOSFET

说明

WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀
RDS（ON），栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换，电源
开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。
SOT323

特征

FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
优异的导通电阻，可提高直流电压 当前
极低的阈值电压
小型封装SOT-323
典型

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
电子特性

绝对最大额定值

热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs&

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szriley123
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