WPM2015 P沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM

最新推荐文章于 2024-07-03 10:40:29 发布
最新推荐文章于 2024-07-03 10:40:29 发布
阅读量1.1k 收藏 1
点赞数 1
分类专栏： WILLSEM 文章标签： WPM2015  P沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM WPM2015  P沟道增强型MOS场效应晶体管 WPM2015场效应晶体管WILLSEM MOS场效应晶体管WILLSEM
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/szriley123/article/details/88837567
版权
WPM2015是一款由WILLSEM生产的P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。它具有低RDS（ON）、低阈值电压和SOT23小封装。这款无铅无卤素器件适用于驱动继电器、电机、LED等，并且有严格的绝对最大额定值。
摘要由CSDN通过智能技术生成

单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET
封装

描述

WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。
品牌：WILLSEM
型号；WPM2015
封装：SOT23
包装：3000
年份：18+
数量：50000
最大额定值

特征

WILLSEM FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23
电气特性

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电

WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽

最低0.47元/天 解锁文章
szriley123
关注
专栏目录
WPM2015-3/TR
szrileyH的博客
03-28 827
单P沟道，-20V，-2.4A，功率MOSFET 描述 WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WPM2015是无铅的无卤。 品牌：WILLSEM 型号；WPM2015 封装：SOT23 包装：3000 年份：18+ 数量：50000 特征FAE：1372371431...
N沟道与P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！
TaidL的博客
02-22 3万+
N沟道增强型场效应管的工作原理 工作原理： 1、栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在DS间也不可能形成电流。当 0<V(GS)<V(T) (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。 当V(GS)&g
WPM2015-3-TR-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOS的博客
07-03 194
3. **电池保护电路：** 由于低阈值电压和SOT23封装的小型尺寸，适用于电池保护电路，确保在低电压状态下切断电池。适用于需要P—Channel MOSFET的电路和模块，特别是在需要较低阻抗和较小阈值电压的场合。1. **电源管理模块：** 由于低阻抗和适中的电流容量，适用于电源开关和调节模块。2. **电机驱动：** 在需要反相控制的场合，如直流电机驱动模块。- 阈值电压：Vth=-0.81V。- 最大工作电压：-20V。- 封装：SOT23。- 最大电流：-4A。
WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管
szriley123的博客
03-27 2322
单P沟道，-20V，-3.2A，功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电 电路。 标准产品WPM2026是无铅的无卤。 特征 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-23 应用 继电器，电磁铁，电...
FQPF27P06 P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！
08-28 831
FQPF27P06 深力科产品详情： 关于FQPF27P06 P沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术这种先进的MOSFET技术专为降低导通电阻而设计，并提供卓越性能开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关功率应用程序。
详解，N沟道MOS管和P沟道MOS管
热门推荐
自由的天空
10-31 16万+
出处：P沟道mos管作为开关的条件（GS &gt;GS（TH）） 1、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V 如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw 那么mos管不导通，D为0V， 所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。...
WPM3012-3/TR单P沟道 增强型MOS 场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 971
单P沟道，-30V，-3.1A，功率MOSFET 描述 WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用 在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。 特征 FAE:13723714 328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 极低的阈值电压 小包装SOT-...
WPM1488-3/TR P通道增强功能MOS场效应晶体管WILLSEM
szriley123的博客
03-29 962
WPM1488-3/TR 单P沟道，-12V，-1.4A，功率MOSFET 说明 WPM1488是P通道增强功能MOS场效应晶体管。 使用先进沟槽技术和设计提供优秀 RDS（ON），栅极电荷低。 这个设备是适用于DC-DC转换，电源 开关和充电电路。 标准产品WPM1488是无铅的。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻，可提高直流电压 当前 极低的阈...
WPM2015-3-TR-VB一款SOT23封装P-Channel场效应MOS管
07-03
该标题直接指出了产品的型号（WPM2015-3-TR-VB）以及其核心特性——SOT23封装和P-Channel沟道结构的场效应晶体管（MOSFET）。这表明产品是一款小型化、高性能的电子元件，适用于各种便携式设备和高密度电路板设计。 ...
WPM3002-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管
最新发布
07-03
根据提供的文档信息，我们可以深入探讨WPM3002-VB这款SOP8封装的双通道P-Channel场效应晶体管(MOSFET)的相关特性、应用以及技术规格。 ### 标题：“WPM3002-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管” 该标题简明...
很火的MOS管电路工作原理及详解.7z
06-26
这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等，都做了详细的解释与说明，还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管，不可多得的学习资料，赶快收藏！
N沟道增强型mos管特性曲线及参数
07-15
本文主要讲了N沟道增强型mos管特性曲线及参数，希望对你的学习有所帮助。
AO3413-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
03-13 344
3. **电池保护电路：** 由于低阈值电压和SOT23封装的小型尺寸，适用于电池保护电路，确保在低电压状态下切断电池。适用于需要P—Channel MOSFET的电路和模块，特别是在需要较低阻抗和较小阈值电压的场合。1. **电源管理模块：** 由于低阻抗和适中的电流容量，适用于电源开关和调节模块。2. **电机驱动：** 在需要反相控制的场合，如直流电机驱动模块。- 阈值电压：Vth=-0.81V。- 最大工作电压：-20V。- 封装：SOT23。- 最大电流：-4A。
WPM2015-3/TR-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-14 116
WPM2015-3/TR 参数：P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；适用模块：WPM2015-3/TR适用于电池供电的设备，如便携式消费电子产品和小型控制模块。其小封装和低导通电阻使其适用于紧凑的空间和高效能要求的电路。优势：小封装：SOT23封装适用于空间受限的设计。
var conf=confirm(确定要删除吗?);_熟悉的钳形表，你真会用吗？
weixin_39628339的博客
12-11 88
什么是钳形表？钳形表的测量的主要优势是什么？钳形表(钳表)，是集电流互感器与电流表于一身的仪表，是数字万用表的一个重要分支。钳形表最大的优势是在不断开被测线路的情况下测量线路的电流。钳形表一般只测量工频交流电流，也有针对直流电进行测量的钳形表。图片源自网络：如有侵权请联系删除钳形表的使用需要注意哪些问题？为了保证测量准确和安全，在使用之前应对钳形表进行以下操作：使用注意事项：(1)测量前...
MOS管基本认识
weixin_44375547的博客
10-22 3328
1. 三个极的判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 2. N沟道与P沟道判别 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 3. 寄生二极管方向判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S 4. MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 ...
两种最基本的MOS管——N沟道与P沟道
zhangzhaobin的专栏
06-06 6万+
原文地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_4a3946360100ox71.html 在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
介绍MOS 管，包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异
lovenashte的专栏
05-15 4897
介绍MOS 管，包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异1、P和N 。这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。 2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的，耗尽型在无线电设备上有用到，平时说的功率MOS都是增强型的，它的功率可以做得很大。 3、记住：不到万不得已不要用P沟道的
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值