WNM6002 N通道增强功能MOS场效应晶体管

最新推荐文章于 2021-02-22 11:45:56 发布
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单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET说明WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。特征FAE:13723714328海沟技术超高密度电池设计出色的导通电阻，可提供更高的直流极低的阈值电压小包装SOT-323...
摘要由CSDN通过智能技术生成

单N沟道，60V，0.30A，功率MOSFET

说明

WNM6002是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6002是无铅的无卤。
典型特性

特征

FAE:13723714318
海沟技术
超高密度电池设计
出色的导通电阻，可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-323
曲线1

应用

继电器，电磁铁，电机，LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电
封装1

绝对最大额定值

热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs
d最高结温TJ = 150°

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szriley123
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WNM2021 N沟道，20V，0.89A，小信号MOSFET 说明 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽 技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021不含铅，不含卤素 特征 WILLSEM FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 优异的导通电阻 极低的阈值电压 小包...
WNM6001单N沟道 60V 0.50A 功率MOSFET晶体管WILLSEM
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WNM6001 单N沟道，60V，0.50A，功率MOSFET, WILLSEM 说明 WNM6001是N通道增强功能MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON） 低栅极电荷。该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。标准产品WNM6001不含铅，不含卤素。 特征 FAE:13723714328 海沟技术 超高密度电池设计 出色的导通电阻，可提供更高的直流 ...
WNM2021-3/TR N通道增强型MOS场效应晶体管
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描述 WNM2021是N通道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。 该设备适合使用在DC-DC转换，电源开关和充电电路。 标准产品WNM2021是无铅的无卤 特征FAE：13723714318 海沟技术 Supper高密度电池设计 出色的导通电阻 极低的阈值电压 小型封装SOT-323 应用 DC-DC转换器电路 负载开关 等级转换 小信号开关...
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主题：理解功率MOSFET管的电流及mos管的作用！ 通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选取这些电流值，常常感到困惑不解，本文将系统的阐述这些问题。 1.连续漏极电流 连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为ID。对于功率MOSFET来说，通常连续漏极电流ID是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮
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