本文详细介绍了半导体二极管的工作原理，包括扩散电容的影响，不同结构（如点接触、面接触和平面二极管）的应用，以及伏安特性的区别和温度影响。重点讨论了稳压二极管的稳压特性、主要参数和在电路中的应用，如限流电阻计算。
第1章 常用半导体器件
1.2 半导体二极管
半导体二极管是电子电路中不可或缺的组件，它们具有许多独特的结构和特性。这一节将详细探讨二极管的工作原理，包括扩散电容的影响以及二极管的常见结构。
电荷的积累与释放：扩散电容
在PN结中，非平衡少子的浓度随着外加电压的变化而变化，产生的电荷积累和释放过程类似于电容器的充放电过程。这种现象称为扩散电容 C4。扩散电容具有非线性特性，其大小不仅取决于流过PN结的正向电流 i，还与温度的电压当量 Ur 和非平衡少子的寿命 r 相关。电流越大、少子寿命越长、温度电压当量越小，扩散电容 C4 就越大。
PN结的总结电容 Cj 是扩散电容 C4 和势垒电容 Cj 的总和，即：
由于这些电容值一般都很小，对于低频信号来说，它们的影响可以忽略不计。然而，在高频信号的场合，结电容的作用变得非常重要。
1.2.1 半导体二极管的几种常见结构
二极管的设计和制造技术多种多样，每种结构都适应了不同的应用需求。
点接触型二极管
如图1.2.2(a)所示，点接触型二极管由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面形成的PN结构成。这种二极管的结面积小，因而通过的电流量有限，但其结电容通常小于1pF，工作频率可达100 MHz以上，非常适用于高频电路和小功率整流应用。
面接触型二极管
如图1.2.2(b)所示，面接触型二极管通常采用合金法工艺制成。其结面积较大，可以承受较大的电流，但由于结电容较大，它主要用于较低频率的整流应用。
平面二极管
如图1.2.2(c)所示，平面二极管是通过扩散法制成的。这种二极管根据结面积的大小，可以分为用于大功率整流的大面积型和用作脉冲数字电路中开关管的小面积型。
每种二极管结构的选择都反映了对不同应用领域的适应性，从高频信号处理到大功率整流，半导体二极管的多样化结构使其能够满足广泛的技术需求。
1.2.2 二极管的伏安特性
二极管是实现电子设备中单向导电功能的基本元件，其伏安特性是理解其工作原理的关键。本节将深入探讨二极管与PN结的伏安特性的区别，以及温度如何影响二极管的电气特性。
一、二极管和PN结伏安特性的区别
虽然二极管和PN结都具有单向导电性，但是在实际应用中，二极管的伏安特性受到其内部结构的影响，表现出与理论PN结不同的特点：
- 正向特性差异：当外加正向电压时，二极管的端电压通常大于PN结上的压降，这是因为二极管包含了半导体体电阻和引线电阻。因此，在相同的正向电压下，二极管的正向电流通常小于PN结的电流，尤其是在大电流工作时，这种差异更加明显。
- 反向特性差异：二极管的反向特性也受到表面漏电流的影响，这使得在外加反向电压时的反向电流大于PN结的反向电流。
二极管的伏安特性通常使用PN结的电流方程式来近似描述，但实际测量表明，只有在正向电压达到一定阈值（开启电压）以上时，正向电流才会按指数规律显著增加。此外，不同型号的二极管其击穿电压差异很大，从几十伏到几千伏不等。
图1.2.3 二极管的伏安特性曲线
该图表展示了二极管在不同温度下的伏安特性，包括正向和反向条件下的电流-电压关系。
表1.2.1 两种材料二极管比较
| 材料 | 开启电压 Uon/V | 导通电压 Uf/V | 反向饱和电流 Ir/μA |
|---|---|---|---|
| 硅 (Si) | ≈0.5 | 0.6-0.8 | <0.1 |
| 锗 (Ge) | ≈0.1 | 0.1-0.3 | 几十 |
二、温度对二极管伏安特性的影响
温度对二极管的特性有显著影响：
- 正向特性的变化：当环境温度升高时，二极管的正向特性曲线会向左移，这表示在相同的电流下，所需的正向电压减小。具体来说，每升高1℃，正向压降约减小2到2.5mV。
- 反向特性的变化：相应地，反向特性曲线向下移，每温度升高10℃，反向电流大约增加一倍。
这些变化表明，二极管在设计和应用时必须考虑到其对温度的敏感性，特别是在温度变化较大的环境中使用时，需要特别注意其特性的变化。
1.2.3 二极管的主要参数
为了全面理解二极管的性能和选择合适的二极管进行电路设计，了解其主要参数是至关重要的。以下是描述二极管性能的几个关键参数：
一、最大整流电流 If
最大整流电流 If 是指二极管在长期运行时允许通过的最大正向平均电流。这一参数的大小依赖于PN结的面积和外部散热条件。若二极管在规定的散热条件下的正向平均电流超过这一限值，可能导致二极管因结温升高过度而损坏。
二、最高反向工作电压 Ur
最高反向工作电压 Ur 是二极管在正常工作条件下可以承受的最大反向电压。通常，这个值设定为击穿电压 Um 的一半。如果应用的反向电压超过 Ur，二极管可能会因为反向击穿而永久损坏。
三、反向电流 Ir
反向电流 Ir 是在未发生击穿时二极管的反向泄漏电流。Ir 越小，二极管的单向导电性能越好。值得注意的是，Ir 对温度非常敏感，因此在不同的温度条件下其值可能会有显著变化。
四、最高工作频率 fu
最高工作频率 fu 是二极管能有效工作的频率上限。超过这一频率，由于结电容的影响，二极管将不能有效地表现出其单向导电性。
设计和选型时的考虑
由于制造工艺的限制，半导体器件的参数具有一定的分散性，即使是同一型号的器件，其参数值也可能存在较大差异。因此，制造商通常提供的是参数的上限值、下限值或其范围。使用时，应特别注意产品手册中每个参数的测试条件，因为实际使用条件与测试条件的不同，可能会导致参数的变化。
在实际应用中，应根据二极管将要使用的环境和电路条件（如最高反向电压、最大正向平均电流、工作频率、环境温度等）选择符合要求的二极管，以确保电路的可靠性和稳定性。这种方法ical选择是确保电路性能和长期稳定运行的关键。
第1章 常用半导体器件
1.2.4 二极管的等效电路
二极管的伏安特性具有明显的非线性特性，这在分析电路时带来一定的挑战。为了简化分析过程，常常采用由线性元件构成的电路来近似模拟二极管的特性，这种模拟电路被称为二极管的等效电路或模型。
等效电路的建立
等效电路的构建可以基于两种方法：
- 基于物理原理的等效电路：这种方法直接与二极管的物理机理相关，虽然模型较为复杂，但适用范围广，特别适合于计算机辅助分析。
- 基于器件外特性的等效电路：这种方法根据器件的电气性能构建更为简单的模型，适用于快速近似分析。
根据二极管的伏安特性，可以构造多种等效电路模型，适用于不同的应用场景和分析要求。
折线化伏安特性的等效电路
折线化的伏安特性可以通过以下几种基本模型来表示：
- 理想二极管模型（图1.2.4(a)）：在这个模型中，二极管在导通时的正向压降为零，截止时反向电流也为零，相当于一个理想的开关。
- 常量正向压降模型（图1.2.4(b)）：这个模型假设二极管导通时的正向压降为一个恒定值 Uon，通常在硅管中取0.7V。截止时反向电流为零，等效电路由一个理想二极管串联一个恒定的电压源组成。
- 线性正向压降-电流关系模型（图1.2.4(c)）：在此模型中，当二极管的正向电压大于 Uon 后，电流与电压之间存在线性关系，直线斜率为 1/rp。等效电路是一个理想二极管串联一个电压源和一个电阻。
应用示例
以下是如何根据不同的输入电压选择合适的等效电路模型来估计二极管电路中的电流：
- 当电源电压 V=30V 时，由于电源电压远大于导通电压，可以假设电阻 R 上几乎全部降压，二极管呈现理想导通状态（图1.2.4(a)所示特性），回路电流 I≈V/R=3mA。
- 当 V=6V 时，由于电压略高于导通电压，使用常量正向压降模型（图1.2.4(b)所示特性）。这时，电流略有减小，I≈(V−Uon)/R。
- 当 =1.5V 时，由于电压接近导通电压，需要使用线性正向压降-电流关系模型（图1.2.4(c)所示特性）来更精确地估计电流。
通过这些示例可以看出，选择合适的等效电路模型对于准确预测电路行为至关重要，尤其是在不同工作电压下的性能预测。这种方法不仅有助于理解二极管的行为，也有助于优化电路设计。
例题1.2.1: 二极管在不同电压源电压下的回路电流分析
电路设置：
- 电路中包含一个二极管和一个电阻 R=10kΩ。
- 电压源 V 分别设置为 30V、6V 和 1.5V。
分析过程：
-
当 V=30V 时：
- 电源电压远大于二极管的导通电压（0.6~0.8V），可以使用理想二极管模型（图1.2.4(a)所示），其中二极管在导通状态被视为短路。
- 回路电流 I 可以简单地通过电源电压除以电阻来计算：AI≈RV=10kΩ30V=3mA
-
当 V=6V 时：
- 电源电压稍大于二极管的导通电压，适合使用有恒定导通电压的模型（图1.2.4(b)所示）。
- 假设导通电压 U=0.7V（常见于硅管），计算回路电流：10kΩ≈0.53mAI≈RV−U=10kΩ6V−0.7V≈0.53mA
-
当 �=1.5�V=1.5V 时：
- 电源电压接近二极管的导通电压，需要考虑电压与电流之间的线性关系（图1.2.4(c)所示），这要求测量实际的伏安特性来确定模型参数。
- 假设 U=0.55V，rp=200Ω（电阻），计算电流：I≈R+rpV−U=10kΩ+200Ω1.5V−0.55V≈93μA
例题1.2.2: 开关控制下的二极管电路输出电压估算
电路设置：
- 一个二极管，一个电阻 R，和一个开关。
- 电压源 V1=6V 和 V2=12V。
分析过程：
-
开关断开时：
- 二极管因加正向电压而导通。
- 假设二极管导通电压 U0=0.7V（硅管），输出电压为：U=V1−U0≈6V−0.7V=5.3V
-
开关闭合时：
- 二极管因外加反向电压而截止。
- 输出电压等于电源电压 V2，即：U=V2=12V
这些例题展示了二极管在实际电路中的应用，通过计算不同条件下的电流或电压，可以预测电路的行为，帮助理解二极管如何在不同模式下工作，以及如何影响整个电路的性能。
二极管的微变等效电路
直流工作点（Q点）：
这是二极管在直流条件下的稳定工作点，通常由外加的直流正向电压确定，如图1.2.7(a)所示。在 Q 点，二极管有一个对应的直流电流。
微小变化的处理：
当在 Q 点上叠加一个微小的变化量时，这个小变化可以用在 Q 点处的切线来近似。这个切线的斜率给出了二极管在该工作点的动态电阻 r，计算公式为：
r=ΔiΔu
其中 Δu 是微小的电压变化，Δi 是由此产生的电流变化。
动态电阻：
动态电阻 r 可以用二极管的电流方程求出，如图1.2.7(b)所示。对于正向偏置的二极管，因其指数特性，Q 点越高，动态电阻 r 越小。
图1.2.8 电路分析
在图1.2.8中，电路接入交流信号源 ui，信号幅度较小且频率较低。在这种情况下，输出电压 uo 的波形将是一个叠加在直流偏压上的正弦波形，如图1.2.9所示。这个正弦波的幅值取决于动态电阻 r 与负载电阻 R 之间的分压关系。
这里标注的 UD 是二极管在直流电压源 V 单独作用下的正向电压降，即 Q 点的电压。
结论
通过微变模型的分析，我们能够理解和预测在叠加了交流信号时二极管的行为。在实际应用中，如果交流信号的幅度小于二极管的导通电压变化范围，则可以使用这种模型来估算二极管在交流信号下的行为。
这种模型尤其适用于小信号分析，在电子电路设计中非常常见，允许设计者使用线性分析方法来处理本质上非线性的元件，从而简化了计算过程。
1.2.5 稳压二极管
稳压二极管，或称为稳压管，是一种由硅材料制造的面接触型晶体二极管。这种二极管在反向击穿时具有一种特殊功能：在特定的电流或功率损耗范围内，它的端电压几乎保持不变，从而表现出稳压特性。因此，稳压二极管广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
一、稳压管的伏安特性
稳压二极管的伏安特性与普通二极管相似，正向特性呈指数曲线，如图1.2.10(a)所示。当外加反向电压达到一定程度时，会发生击穿，此时的伏安曲线变得非常陡峭，几乎垂直于纵轴，显示出其稳压特性。只要控制反向电流不超过特定阈值，便可以避免因过热而导致二极管损坏。
图1.2.10(b)展示了稳压管的符号及其等效电路。在此等效电路中，未击穿时二极管D1承担正向电压，而D2则代表反向电压下的情况。理想二极管、电压源U2和电阻r4串联形成的支路则代表反向击穿时的等效电路。
二、稳压管的主要参数
稳压二极管的主要性能参数包括：
- 稳定电压U2：这是稳压管在规定电流下的反向击穿电压。不同型号的稳压管，如2CW11型，稳定电压在3.2至4.5V之间。稳定电压的具体值取决于单个管子的特性。
- 稳定电流I2：表示稳压管工作在稳压状态时的参考电流。如果电流低于此值，稳压效果会下降，甚至完全失效。
- 额定功耗P：等于稳压管的稳定电压U乘以最大稳定电流Izw。如果功耗超出此值，稳压管可能因结温过高而损坏。
- 动态电阻r：是指稳压管在稳压区工作时，端电压的变化量与电流变化量之比。动态电阻越小，表示在电流变化时，稳压管的电压变化越小，即稳压性能越好。
- 温度系数α：指的是温度每变化1°C时稳定电压的变化量。对于稳定电压低于4V的稳压管，通常具有负温度系数，即温度升高时稳定电压下降；而稳定电压高于7V的稳压管，则具有正温度系数，即温度升高时稳定电压上升。
【例1.2.3】限流电阻的计算
在图1.2.11的稳压电路中，已知稳压管的稳定电压U2为6V，最小稳定电流为5mA，最大稳定电流为25mA；负载电阻RR1为600Ω。为确保电路正常工作，必须计算合适的限流电阻R的取值范围。通过电路分析得出，限流电阻R应介于114Ω至267Ω之间。这样的计算确保稳压管能在安全和有效的条件下工作，提供稳定的电压输出。
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