- 博客(9)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 碳化硅平面SDG_MOSFET
优势：沟道二极管的作用：屏蔽体二极管，避免器件的双极退化的问题， 降低反向恢复开启电压；减小沟道面积，降低输出电流，一定程度上提高器件的短路耐受能力。以较窄的JFET区的屏蔽作用，降低分裂栅边角处电场值。2.根据wolfspeed公司的相关产品的实测数据对仿真物理模型进行修正；结论：存在比导通电阻略大，仍有改正空间，考虑采用其他降低电场集中的方式。主要工作内容： 1.提出新的器件结构；3.对器件结构进行拉偏仿真。
2024-04-09 14:40:05
164
原创 一种降低TVS二极管电容的方法
设计窗口和工作范围已经过验证，表明这种新型结构的 C j 值为 0.6 pF，工作频率可达 6 GHz，并能承受 ±14 kV 接触放电的 IEC 61000-4-2 测试。掺杂上的区别，这也是影响降低结构电容的关键因素，由公式可知，电容与耗尽区的宽度成反比，并与结点掺杂的平方根成正比。因此，C j 值也随之降低。摘要：通过对掺杂井进行开槽以降低二极管的浓度，获得具有超低 C j 的 TVS，而无需增加工艺程序，也不会损害 ESD 能力。文章研究了布局设计对降低器件电容的作用，而不降低二极管的面积。
2024-03-20 10:42:02
457
1
原创 嵌入“单极管”的功率MOSFET（改善第三象限性能）
摘要：两篇文章出发点都是为避免SiC MOSFET器件的体二极管导通电压较大从而导致的双击退化等问题而提出的新的SiC MOSFET器件结构。其一为SiC JBS-MOSFET结构的进一步改进，其二为集成“单极管”的SiC MOSFET结构，可以视为在SGT与DT结构基础上的改进。该结构存在问题：漏电流大，这是因为相邻 p-屏蔽之间的通道越宽，其掐断效应就越弱，异质结界面上的电场就越高，从而加速了热电场发射，导致漏电流增加。优势：栅电荷减小，栅漏电容减小，第三象限性能改进。
2024-03-14 10:29:42
294
原创 SiC C_MOSFET和JBS_SiC MOSFET的高温特性工作比较
摘要:SiC MOSFET虽然具有出色的性能优势，但SiC C-MOSFET的体PiN二极管具有正向压降大和在高温条件下反向恢复特性差的问题，JBS_SiC MOSFET可以明显改善器件的第三象限性能。4.对阻断特性的影响：集成SBD的JBSFET提供额外的漏电流路径，理论分析表面漏电流为主要的泄露机制；3.第三象限：两者表现出相反的趋势，MOSFET在400K以上温度后随温度升高Vsd下降，JBSFET的Vsd则与温度呈正相关特性，仿真与实验拟合表明在400K以上JBSFET的体PiN二极管被激活；
2024-03-12 15:54:52
604
1
原创 记录3：耗尽低势垒沟道用于改善第三象限特性的SiC 沟槽 MOSFET
2）栅极分为两部分：真栅极和dummy-gate，有助于降低栅漏电容，改善开关特性，同时接源极的dummy-gate有助于降低LLD的导通压降，在0栅偏压和负栅偏压下，接源极的dummy-gate，使n-channel表面对LLD并没有影响，第三象限，导通压降不变；3）电流扩展层的引入以降低JFET效应。值得注意的是在该文献的器件结构仿真中，Pbase与P反型沟道是分别掺杂设置的，但文献的器件结构没有明确说明，若想进行仿真验证，需要注意。器件采取了split-gate结构，这是改善开关特性的关键因素。
2024-01-17 11:15:32
487
原创 学习笔记2：异质结P+PolySi/SiC屏蔽结构的SiC MOSFET
异质结二极管的引入改善了器件体二极管的反向恢复特性，这与异质结二极管在正偏压下注入漂移区的空穴数减少有关，这也证实了该二极管为单极器件。1.异质结的内建电势较小，这意味着可能有更高的漏电流，此外硅与碳化硅的晶格失配会在异质结上产生大量的界面态，这也会在一定程度上增加通过异质结的漏电流。创新点：与传统的SiC UMOSFET不同，该结构采用P+PolySi和SiC的组合作为屏蔽区，同时P+PolySi与N-漂移区的形成异质结。比导通电阻：降低35%。存在问题：异质结二极管的引入会对器件可靠性带来潜在的影响。
2024-01-12 15:11:56
703
2
原创 集成二极管的的分裂栅双沟槽SiC MOSFET
原文标题：An ultralow loss 4H-SiC double trenches MOSFET with integrated heterojunction diodes and split gate****摘要：****介绍了一种新型超低损耗 4H-SiC 双沟槽 MOSFET，并对其机理进行了仿真研究。该器件具有两个集成异质结二极管（HJD），由 P 型多晶硅和碳化硅、沟道分离栅极（SG）和源极沟道下的 P+ 区（PR）组成。SG 和 PR 可降低栅极和漏极之间的耦合效应，并将部分栅-漏电容
2024-01-09 17:58:31
603
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人