嵌入式系统常用外部存储器

目录

前言

1 DDR SDRAM

2 EEPROM

3 NAND Flash

4 Nor Flash

5 eMMC

6 其他

---

•  🎈个人主页🎈：linux_嵌入式大师之路的博客-CSDN博客
• 🎉🎉🎉欢迎 👍点赞✍评论⭐收藏
• 🤝希望本文能对你有所帮助，欢迎在评论区交流讨论！🤝

前言

存储器主要包含两大类，一类是易失性内存存储，一类是非易失性内存，其作为数据、系统存储的关键介质，在嵌入式系统中扮演着重要角色。常见的有DDR SDRAM、EEPROM、NOR Flash、NAND Flash 、eMMC等，本文将介绍其区别及应用场景。

1 DDR SDRAM

DDR的全称其实是DDR SDRAM（双通道同步动态随机存储器），程序运行内存。

DRAM：只有一个异步接口，采用异步传输的方式，异步传输技术简单，也比较稳定，但是数据的传输速率相对较慢。

SDRAM：除了异步接口，还多了一个同步接口。同步接口需要数据发送方和接收方有一个统一的时钟信号，技术相对复杂，相应的传输速率和并发度都更高，每个时钟周期传输一次数据。

DDR SDRAM（DDR）：在每个时钟周期内能够传输两次数据，数据传输是SDRAM的2倍。也就是说DDR其实就是具有双倍数据传输率的SDRAM，在DRAM的基础上快上加快。

DDR代数越高：

时钟周期越短（也就是频率越高），传输速度也就越快

能支持的理论最大容量越大，DDR4的理论最大容量已经达到512GB

电压越小，耗电量也就越低。

2 EEPROM

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦写可编程只读存储器）是一种非易失性存储器，可以在不需要外部电源的情况下存储和擦除数据。EEPROM可以被单个字节擦除和重新编程，而不需要整体擦除，适用于配置信息、参数设置等。

EEPROM与普通的只读存储器（ROM）和闪存有所不同。ROM是只读存储器，一旦被编程就无法再次擦除或修改。闪存可以被擦除和重新编程，但需要一些特殊的操作，而EEPROM可以更方便地进行擦除和编程，

EEPROM的工作原理是通过在集成电路内部存储电荷来存储数据。当数据需要被擦除时，电荷被从存储单元中移除，使其恢复为初始状态。当数据需要被编程时，电荷被重新注入，改变存储单元的状态。

对于编程EEPROM，通常使用专门的EEPROM编程器或通过编程器接口（如SPI或I2C）与微控制器或计算机连接来编程。编程EEPROM的过程通常包括选择要编程的地址、写入数据和执行编程操作。

EEPROM提供了2种写方式，字节写和页写：

• 字节写：随机写入想要写入的地址，在指定的地址写入一个字节数据；
• 页写：发生写操作，开始送入的地址对应的页被锁存，后续不论写多少，都在这个页中，只是一个页内的地址进行加一，超过就归零开始。从F0开始写32个字节，那么开始送入的地址为F0，就会锁定在1号页（第2个页）上，底端7位页内部地址开始从70H开始写，到达7F时回到00再到10H，也就是写在了F0~FF，80~8F。也就是，从01开始写也只能到7F，再往80写就跑到00上去了，这就是写操作的翻卷，datasheet上都有说明。就是从边界前写两个字节也要分两次写。页是绝对的，按整页大小排列，不是从开始写入的地址开始算。

EEPROM也提供了三种读方式；分为直接读，随机读和顺序读。读没有页的问题，可以从任意地址开始读取任意大小数据，只是超过整个存储器容量时地址才回卷。但一次性访问的数据长度也不要太大。所以分页的存储器要做好存储器管理，尽量同时读写的数据放在一个页上。

• 直接读取读取EEPROM的第一个字节；
• 随机读取就是写入想要读取的地址，从当前的地址一个字节一个字节读取数据；
• 顺序读取就是从EEPROM的第一个字节开始一个字节字节的读取；

注意：选择具有WP写保护引脚的器件，防止被误写。现在很多器件都有写保护功能，首先将WP置高，需要写时置低，写完后再置高；防止被误操作。

3 NAND Flash

按照接口区分，NAND Flash分为串行和并行两种，串行就是每次传输1 bit，并行就是每次传输多位。串行Flash管脚较少，多采用SPI或者QSPI接口进行通信。一般来讲，并行Flash的容量要高于串行Flash。适用于存储固件。

按照颗粒密度区分，并行NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC等，其中SLC、MLC颗粒较为常用。

• 第一代SLC（Single-Level Cell）每单元可存储1比特数据(1bit/cell)，性能好、寿命长，可经受10万次编程/擦写循环，但容量低、成本高，市场上用的比较少；
• 第二代MLC（Multi-Level Cell）每单元可存储2比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，目前主流的核心板厂商大都配置该类型的存储；
• 第三代TLC（Trinary-Level Cell）每单元可存储3比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，大多数固态硬盘的选择；
• 第四代QLC（Quad-Level Cell）每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。

4 Nor Flash

NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。按照接口区分, Nor Flash也可以分为并行和串行两种。由于并行Nor Flash易存在兼容性问题，现已逐渐淘汰，目前常用的Nor Flash通常指串行Flash，即SPI Flash。适用于存储固件。

与NAND Flash相比，Nor Flash容量较低，且读写速度和擦写速度较慢。不同于NAND Flash的是，NOR Flash支持Execute ON Chip，程序可以直接在Flash片内执行，因此很适合作为嵌入式系统中的程序启动介质。

5 eMMC

eMMC 本质上还是Nand flash ，数据接口支持1bit、4bit和8bit三种。eMMC=Nand flash +闪存控制芯片+标准接口封装，其内部集成的闪存控制器具有读写协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能，极大降低了Nand-flash的使用难度。适用于存储固件。

6 其他

在嵌入式系统中，Flash除了用来存放数据，还有一个重要的功能就是存放uboot启动程序。一般来讲，系统可以直接从Nor Flash启动，而不能直接从NAND Flash启动。系统要从NAND Flash启动，则需要先将NAND Flash低4K的代码拷贝到CPU内部的SRAM中，然后从SRAM中驱动。再将FLASH剩下的代码拷贝到SDRAM中，从SDRAM开始执行main函数，启动流程如下图所示。

一般来讲，当主控制所需搭配的存储容量较低时（如256M、512M），通常选择Nand flash。当主控制所需搭配的存储容量较高时（如4GB、8GB甚至32GB），选择eMMC将更具性价比。