陕西天士立科技有限公司 晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
基础信息
- Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOS-FET的FBSOA(正向偏置安全工作区)测试
- FBSOA和对应的IV曲线
- ICE电流0~1000A
- VCE电压0~100V
- VGE驱动电压0~30V
- VMNF热敏电压≤5V
- Pmax功率100KW
- 脉宽10us~10ms
- 柜式结构,气动安全(支持手动式)工装柜,计算机程控
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
FBSOA定义
- 该图是简版FBSOA曲线,划定了四条电压-电流关系的边界线,分别是AB段,BC段,CD段,DE段
- AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的zd工作电流,这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值相关,从图看出,IGBT 门极驱动电压幅值越高,饱和导通状态下的zd工作电流越大
- BC段是IGBT max可重复电流ICpuls,是4倍标称电流
- CD段需结合IGBT瞬态热阻看。IGBT有线性区和饱和区
- 跨AB段后,其IGBT处于线性区了,也就退出饱和导通区, IGBT损耗急剧上升。所以,这条边界体现IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE电压越高,IGBT所能承电流脉冲幅值越低。另外,电流脉宽越大,IGBT所能承受电流幅值也越低
- 蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线,由公式(1)计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽
- DE段规定了IGBT集射极CE击穿电压,IGBTCE击穿电压是和结温正相关,结温越低,CE击穿电压也越低
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
产品特点
- 测试规范:IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023
- 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择,不同封装外观,更换“DUT适配器”即可
- 高温测试,支持室温~200℃,±1℃@0.5℃
- 计算机程控,测试数据可存储为Excel、PDF。内置多种通用文档模板供用户选择,还可自定义
- 安全稳定(PLC对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)设备具有安全工作保护功能
- 智能化,计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传特定局域网,支持MES系统和扫码枪连接
- 安全性,防爆,防触电,短路保护等多重保护措施,可以操作人员、设备、数据及样品安全
- 电压源电流源模块化设计,根据需求,自选搭配
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验