PN结与二极管的特性

PN结的伏安特性

PN结的正向特性

PN结加正向电压时，P区电位高于N区点位，扩散电流大于漂移电流，PN结呈低阻性。

PN结的反向特性

PN结加反向电压时，P区电位低于N区电位，内电场对于扩散运动起到抑制作用，少子的漂移电流大于扩散电流,PN结呈现高阻性。
PN结的别名：PN结=空间电荷区=耗尽层=阻挡层=势垒层=内电场=电阻。

反向击穿：

（1）雪崩击穿
参杂浓度低的时侯，反向电流加载时，PN耗尽层区域距离增厚，那么这个PN结成了一个粒子加速器，任何进入该区域的粒子都会被加速，若参杂浓度较低，则耗尽层较宽，随着 PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，如此产生链式效应，于是雪崩击穿； 相当于电子撞开了耗尽层内的共价键产生了新电子和新空穴，而新电子再被加速撞击其他共价键，导致空穴和电子的复合速度无法匹配被撞开共价键的速度。
可见反向加压的时候，耗尽层中的动态平衡能量升高到无法保持，爆发潜力达到极限（厚度变厚，参与储能的共价键多），耗尽层内部潜力蓄势待发，直到外电场彻底打破平衡。

（2）齐纳击穿
参杂浓