PN结与二极管的特性

PN结的伏安特性

PN结的正向特性

PN结加正向电压时，P区电位高于N区点位，扩散电流大于漂移电流，PN结呈低阻性。

PN结的反向特性

PN结加反向电压时，P区电位低于N区电位，内电场对于扩散运动起到抑制作用，少子的漂移电流大于扩散电流,PN结呈现高阻性。
PN结的别名：PN结=空间电荷区=耗尽层=阻挡层=势垒层=内电场=电阻。

反向击穿：

（1）雪崩击穿
参杂浓度低的时侯，反向电流加载时，PN耗尽层区域距离增厚，那么这个PN结成了一个粒子加速器，任何进入该区域的粒子都会被加速，若参杂浓度较低，则耗尽层较宽，随着 PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，如此产生链式效应，于是雪崩击穿； 相当于电子撞开了耗尽层内的共价键产生了新电子和新空穴，而新电子再被加速撞击其他共价键，导致空穴和电子的复合速度无法匹配被撞开共价键的速度。
可见反向加压的时候，耗尽层中的动态平衡能量升高到无法保持，爆发潜力达到极限（厚度变厚，参与储能的共价键多），耗尽层内部潜力蓄势待发，直到外电场彻底打破平衡。

（2）齐纳击穿
参杂浓度高的时候，PN结比较窄，高浓度时，反偏电压时很薄的PN结上承载巨大场强，直到这个场强直接破坏共价键。

击穿分析：

击穿时导致的大电流会使PN结过热烧毁，但是如果没发生热击穿则还有救；
反向击穿特性，在很大的电流范围内电压不变，可以用于稳压二极管；
雪崩击穿，温度越高，越不容易不发生击穿，击穿电压会升高。
温度升高时，晶格振动阻碍粒子加速，粒子平均自由程缩短，加速达到击穿所需要的速率会降低。
齐纳击穿，温度越高，越容易发生击穿，击穿电压会降低。

PN结的电容效应

1 .势垒电容
反向加压时，PN内部会出现势垒电容；可以用于可变电容；其实就是耗尽（势垒）层动态平衡处的电量增加。

2.扩散电容
当有外加正向偏压时，在 p-n 结两侧的少子扩散区内，都有一定的少数载流子的积累，而且它们的密度随电压而变化，形成一个附加的电容效应，称为扩散电容。
具体内容可以参考本篇文章，讲的很好。

二极管的构成

二极管：将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。

主要包括三种类型：

二极管的形成是通过扩散工艺来制作的，基材是硅片，在硅片的表面上采用扩散工艺的方式将硼参杂进去，之后通过SiO2将窗口封住。
由于平面扩散法能形成二氧化硅氧化膜，保护PN结不受污染，一般采用这种方式来生产二极管。

二极管的伏安特性

二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性

二极管是单向导电性，当二极管正向偏置的时候，当电压大于开启电压时，电流会随着电压的增大而指数级增高。
当正向电压很小，外电场不足以克服内电场，载流子无法进行扩散运动，因此从O到Uoh这一段的电压范围称为死区。
当二极管反向偏置的时候，二极管处于截止状态，电流很小几乎不变，因此称为反向饱和电流（饱和基本不变）。

伏安特性受温度影响

温度上升时，正向特性曲线左移，因为本征激发会增加，热运动加剧，载流子的数目增多，所以需要更小的正向电压就可以产生更大的电流。
与此同时，反向特性会下移，因为温度对少子的影响较大，因此电流会增加。