模电笔记3：pn结与二极管特性

Pn结的伏安特性

•1.正向特性 有个死区 si：导通电压0.7v

2.pn结两个击穿

两种反向击穿：1.雪崩击穿；2.齐纳击穿

•雪崩击穿：链式反应

 

 

Pn结损坏：反向击穿后引起的二次击穿

• Pn 结坏：反向击穿引起的温度升高

• 为什么温度升高，电流乘 以 pn 结电压 就是 pn 结消耗的电功率，电功率就是发热用的 。

• Pn 结可以工作在反向击穿工作状态下，温度没过高，还可以回来

• 要控制好不要进入热击穿状态 也叫二次击穿

• 发生二次击穿后，不可逆了，热量大引起价电子 突破，形成正反馈

• 雪崩击穿，温度越高，雪崩击穿所需要的击穿电压就越高

• 齐纳击穿，温度越高，齐纳击穿所需要的击穿电压就越低

 

 

 

3.pn结电容特性

 

电容反映的是电量和电压之间的关系。

在相同的电压变化范围内，电容量不一样，代表电荷的储存变化量不一样。

如果一个器件，电压变化，里面储存的电荷量变化，就表现出一种电容特性。

 

势垒电容：pn结反向电压

• 不是线性，势垒电容是可变电容

• 线性电容： δq / δu = 常数

 扩散电容：非平衡少子

只要电压引起两方电荷的变化就能等效成电容

•扩散电容：非平衡少子和电压之间的关系构成

 

 

 4.半导体二极管

 

1.由于体电阻存在，相同电压小，二极管电流比pn结小，二极管电阻大了一些；

Pn结中间电荷区

二极管 p区 n区 有体电阻

2. 二极管反向电流大一些

二极管封装外壳，加反向电压时候，不仅pn结有反向漂移电流

壳上也会产生表面泄露电流