这里记住符号看箭头，都是从P到N的，E极为N就是NPN型，反之PNP型。记住NPN的结构发射区的N多子浓度高，基极多子浓度低，很薄，集电区面积大，但是多子浓度不高！！！
这幅图是重点。首先我们知道晶体管发放大原理是发射结正偏，集电结反偏（NPN）。所以当基极加上一个正电压时，发射结导通，发射区的多子浓度高流向基区，也就是扩散运动。同时基区的多子空穴与扩散来的自由电子复合，又因为VCC的正电压导致集电结反偏，所以漂移运动加剧，而漂移运动的目的就是使P区的自由电子不断像N区靠拢，到达集电区。也就这三种电子的流向使得形成了Ib，Ie，Ic（注意负电荷的流向与电流的方向是相反的）。当然在扩散运动时，基区的空穴相对上也会朝发射区扩散，以及漂移运动那里的空穴的运动，只是这两部分的电流太小。
Iceo是穿透电流，就是基极断路，基极虽然不加电压，但发射区的多子浓度很高还是会有扩散运动，而VCC电压不断
本文详细介绍了三极管的工作原理，强调了NPN和PNP型的区别，并重点解析了晶体管放大过程中的电流流动。通过分析发射结正偏、集电结反偏的状态，阐述了Ib、Ie、Ic的形成。此外，还讨论了穿透电流Iceo对晶体管性能的影响，以及Uce、Ube变化对放大能力的作用。最后，提到了温度对晶体管性能的影响。
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