绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多,可达
1
0
10
10^{10}
1010Ω以上,还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单,而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
与结型场效应管相同,MOS管也有N沟道和P沟道两类,但每一类又分为增强型和耗尽型两种,因此MOS管的四种类型为:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管,P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。凡栅-源电压
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管凡栅-源电压
U
G
S
{U}{\tiny GS}
UGS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。下面讨论它们的工作原理和特性。
N沟道增强型MOS管
N沟道增强型MOS管结构示意图如下所示。
它以一块低掺杂的P型硅片为衬底,利用扩散工艺制作两个高掺杂的
N
+
N^{+}
N+区,并引出两个电极,分别为源极s和漏极d,半导体上制作一层
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2绝缘层,再在
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2之上制作一层金属铝,引出电极,作为栅极g。通常将衬底与源极接在一起使用。这样,栅极和衬底各相当于一个极板,中间是绝缘层,形成电容。当栅-源电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。可见,MOS管与结型场效应管电机理与电流控制的原理均不相同。
下图所示为N沟道和P沟道增强型的符号。
工作原理
当栅-源之间不加电压时,漏源之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏-源之间加电压,也不会有漏极电流。
当
u
D
S
=
0
{\large u}{\tiny DS}=0
uDS=0且
u
G
S
>
0
{\large u}{\tiny GS}>0
uGS>0时,由于
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2的存在,栅极电流为零。但是栅极金属层将聚集正电荷,它们排斥P型衬底靠近
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2一侧的空穴,使之剩下不能移动的负离子区,形成耗尽层,如下图所示。
当
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS增大时,一方面耗尽层增宽,另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型薄层,称为反型层,如下图所示。
这个反型层就构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压
U
G
S
(
t
h
)
{U}{\tiny GS(th)}
UGS(th)。
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS越大,反型层越厚,导电沟道电阻越小。
当
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS是大于
U
G
S
(
t
h
)
{U}{\tiny GS(th)}
UGS(th)的一个确定值时,若在d-s之间加正向电压,则将产生一定的漏极电流。此时,
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS的变化对导电沟道的影响与结型场效应管相似。即当
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS较小时,
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS的增大时
i
D
i{\tiny D}
iD线性增大,沟道沿源-漏方向逐渐变窄,如下图所示。
一旦
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS增大到使
u
D
S
=
U
G
S
(
t
h
)
{\large u}{\tiny DS}={U}{\tiny GS(th)}
uDS=UGS(th)(即
u
D
S
=
u
G
S
−
U
G
S
(
t
h
)
{\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}
uDS=uGS−UGS(th))时,沟道在漏极一侧出现夹断点,称为预夹断,如下图所示。
如果
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS继续增大,夹断区随之延长,如下图所示。
而且
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看,
i
D
i\tiny D
iD几乎不因
u
D
S
{\large u}{\tiny DS}
uDS的增大而变化,管子进入恒流区,
i
D
i\tiny D
iD几乎仅决定于
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS。
在
u
D
S
>
u
G
S
−
U
G
S
(
t
h
)
{\large u}{\tiny DS}>{\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}
uDS>uGS−UGS(th)时,对应于每一个
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS就有一个确定的
i
D
i\tiny D
iD。此时,可将
i
D
i\tiny D
iD视为电压
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS控制的电流源。
特性曲线与电流方程
下图(a)、图(b)分别为N沟道增强型MOS管的特性转移曲线和输出特性曲线,它们的关系间见中所标注。与结型场效应管一样。MOS管也有三个工作区域:可变电阻区、恒流区及夹断区,如图中所标注。
与结型场效应管相类似,
i
D
i\tiny D
iD与
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS的近似关系为:
i
D
=
I
D
O
(
u
G
S
U
G
S
(
t
h
)
−
1
)
2
{i\tiny D}={I\tiny DO}(\frac {\large u\tiny GS}{U\tiny GS(th)}-1)^2
iD=IDO(UGS(th)uGS−1)2
式中
I
D
O
{I\tiny DO}
IDO是
u
G
S
=
2
U
G
S
(
t
h
)
{\large u}{\tiny GS}=2{U\tiny GS(th)}
uGS=2UGS(th)时的
i
D
i\tiny D
iD。
N沟道耗尽型MOS管
如果在制造MOS管时,在
S
i
O
2
SiO\tiny 2
SiO2绝缘层中掺入大量正离子,那么即使
u
G
S
=
0
{\large u}{\tiny GS}=0
uGS=0,在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层,即漏-源之间存在导电沟道。只要在漏-源间加正向电压,就会产生漏极电流,如下图所示。
并且,
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS为正时,反型层变宽,沟道电阻变小,
i
D
i\tiny D
iD增大,反之
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS为负时,反型层变窄,沟道电阻变大,
i
D
i\tiny D
iD减小。而当
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS从零减小到一定值时,反型层消失,漏-源之间导电沟道消失,
i
D
=
0
{i\tiny D}=0
iD=0。此时的
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS称为夹断电压
u
G
S
(
o
f
f
)
{\large u}{\tiny GS(off)}
uGS(off)。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压也为负值。但是,前者只能在
u
G
S
<
0
{\large u}{\tiny GS}<0
uGS<0的情况下工作,而后者的
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS可以在正、负值的一定范围内对
i
D
i\tiny D
iD的控制,且仍保持栅-源间有非常大的绝缘电阻。
耗尽型MOS管的符号如下图所示。
P沟道MOS管
与N沟道MOS管相对应,P沟道增强型MOS管的开启电压 U G S ( t h ) < 0 {U}{\tiny GS(th)}<0 UGS(th)<0,当 u G S < U G S ( t h ) {\large u}{\tiny GS}<{U}{\tiny GS(th)} uGS<UGS(th)时管子才导通,漏-源之间应加负电源电压;P沟道耗尽型MOS管的夹断电压 u G S ( o f f ) > 0 {\large u}{\tiny GS(off)}>0 uGS(off)>0, u G S {\large u}{\tiny GS} uGS可在正负值一定的范围内实现对 i D i\tiny D iD的控制,漏-源之间也应加负电压。
VMOS管
当MOS管工作在恒流区时,管子的耗散功率主要消耗在漏极一端的夹断区上,并且由于漏极所连接的区域(称为漏区)不大,无法散发很多的热量,所以MOS管不能承受较大功率。VMOS管从结构上较好地解决了散热问题,故可制成大功率管,下图所示为N沟道增强型VMOS管的示意图。
VMOS以高掺杂
N
+
N^{+}
N+区为衬底,上面外延低掺杂N区,共同作为漏区,引出漏极。在外延层N区上有形成一层P区,并在P区之上制成高掺杂
N
+
N^{+}
N+区。从上面俯视VMOS管P区与
N
+
N^{+}
N+区,可以看到它们均为环状区,所引出的电极为源极。中间是腐蚀而成的V型槽,其上生长一层绝缘层,并覆盖上一层金属,作为栅极。VMOS管因存在V型槽而得名。
在栅-源电压
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS大于开启电压
U
G
S
(
t
h
)
U{\tiny GS(th)}
UGS(th)时,在P区靠近V型槽氧化层表面所形成的反型层与下边N区相接,形成垂直的导电沟道,见上图中所标注。当漏-源间外加正电源时,自由电子将沿沟道从源极流向N型外延层、
N
+
N^{+}
N+区衬底到漏极,形成从漏极到源极的电流
i
D
i\tiny D
iD。
VMOS管的漏区散热面积大,便于安装散热器,耗散功率最大可达千瓦以上;此外,其漏-源击穿电压高,上限工作频率高,而且当漏极电流大于某值(如500mA)时,
i
D
i\tiny D
iD与
u
G
S
{\large u}{\tiny GS}
uGS基本成线性关系,场效应管的符号及特性如下图所示。
应当指出,如果MOS管的衬底不与源极相连接,则衬-源之间电压 U B S {U}{\tiny BS} UBS必须保证衬-源间的PN结反向偏置,因此,N沟道管的 U B S {U}{\tiny BS} UBS应小于零,而P沟道管的 U B S {U}{\tiny BS} UBS应大于零。此时导电沟道宽度将受 u G S {\large u}{\tiny GS} uGS和 U B S {U}{\tiny BS} UBS重控制, U B S {U}{\tiny BS} UBS使开启电压或夹断电压的数值增大。比较而言,N沟道管受 U B S {U}{\tiny BS} UBS的影响更大些。