模电·绝缘栅型场效应管_016

妖兽喽

已于 2024-05-14 15:18:31 修改

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分类专栏：模电文章标签：基带工程

于 2023-11-24 21:14:02 首次发布

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本文详细介绍了绝缘栅型场效应管，包括N沟道增强型、耗尽型和P沟道MOS管的工作原理，特性曲线，以及电流控制机制。重点讲述了MOS管如何通过栅-源电压控制漏极电流，并探讨了VMOS管的散热优化和高功率特性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用 $SiO\tiny 2$ 绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达 $10^{10}$ Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管，P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。凡栅-源电压 ${\large u}{\tiny GS}$ 为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管凡栅-源电压 ${U}{\tiny GS}$ 为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽型管。下面讨论它们的工作原理和特性。

N沟道增强型MOS管

N沟道增强型MOS管结构示意图如下所示。

它以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的 $N^{+}$ 区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层 $SiO\tiny 2$ 绝缘层，再在 $SiO\tiny 2$ 之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g。通常将衬底与源极接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。可见，MOS管与结型场效应管电机理与电流控制的原理均不相同。
下图所示为N沟道和P沟道增强型的符号。
N沟道和P沟道增强型MOS管符号

工作原理

当栅-源之间不加电压时，漏源之间是两只背向的PN结，不存在导电沟道，因此即使漏-源之间加电压，也不会有漏极电流。
当 ${\large u}{\tiny DS}=0$ 且 ${\large u}{\tiny GS}＞0$ 时，由于 $SiO\tiny 2$ 的存在，栅极电流为零。但是栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近 $SiO\tiny 2$ 一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层，如下图所示。
uDS=0时uGS对导电沟道的影响，耗尽层的形成

当 ${\large u}{\tiny GS}$ 增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称为反型层，如下图所示。
uDS=0时uGS对导电沟道的影响，沟道的形成

这个反型层就构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压 ${U}{\tiny GS(th)}$ 。 ${\large u}{\tiny GS}$ 越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。
当 ${\large u}{\tiny GS}$ 是大于 ${U}{\tiny GS(th)}$ 的一个确定值时，若在d-s之间加正向电压，则将产生一定的漏极电流。此时， ${\large u}{\tiny DS}$ 的变化对导电沟道的影响与结型场效应管相似。即当 ${\large u}{\tiny DS}$ 较小时， ${\large u}{\tiny DS}$ 的增大时 $i{\tiny D}$ 线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如下图所示。
uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响，uDS＜uGS-UGS(th)

一旦 ${\large u}{\tiny DS}$ 增大到使 ${\large u}{\tiny DS}={U}{\tiny GS(th)}$ (即 ${\large u}{\tiny DS}={\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}$ )时，沟道在漏极一侧出现夹断点，称为预夹断，如下图所示。
uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响，uDS=uGS-UGS(th)
如果 ${\large u}{\tiny DS}$ 继续增大，夹断区随之延长，如下图所示。

而且 ${\large u}{\tiny DS}$ 的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看， $i\tiny D$ 几乎不因 ${\large u}{\tiny DS}$ 的增大而变化，管子进入恒流区， $i\tiny D$ 几乎仅决定于 ${\large u}{\tiny GS}$ 。
在 ${\large u}{\tiny DS}＞{\large u}{\tiny GS}-{U}{\tiny GS(th)}$ 时，对应于每一个 ${\large u}{\tiny GS}$ 就有一个确定的 $i\tiny D$ 。此时，可将 $i\tiny D$ 视为电压 ${\large u}{\tiny GS}$ 控制的电流源。

特性曲线与电流方程

下图(a)、图(b)分别为N沟道增强型MOS管的特性转移曲线和输出特性曲线，它们的关系间见中所标注。与结型场效应管一样。MOS管也有三个工作区域：可变电阻区、恒流区及夹断区，如图中所标注。
N沟道增强型MOS管的特性曲线

与结型场效应管相类似， $i\tiny D$ 与 ${\large u}{\tiny GS}$ 的近似关系为：
${i\tiny D}={I\tiny DO}(\frac {\large u\tiny GS}{U\tiny GS(th)}-1)^2$
式中 ${I\tiny DO}$ 是 ${\large u}{\tiny GS}=2{U\tiny GS(th)}$ 时的 $i\tiny D$ 。

N沟道耗尽型MOS管

如果在制造MOS管时，在 $SiO\tiny 2$ 绝缘层中掺入大量正离子，那么即使 ${\large u}{\tiny GS}=0$ ，在正离子作用下P型衬底表层也存在反型层，即漏-源之间存在导电沟道。只要在漏-源间加正向电压，就会产生漏极电流，如下图所示。
N沟道耗尽型MOS管结构示意图

并且， ${\large u}{\tiny GS}$ 为正时，反型层变宽，沟道电阻变小， $i\tiny D$ 增大，反之 ${\large u}{\tiny GS}$ 为负时，反型层变窄，沟道电阻变大， $i\tiny D$ 减小。而当 ${\large u}{\tiny GS}$ 从零减小到一定值时，反型层消失，漏-源之间导电沟道消失， ${i\tiny D}=0$ 。此时的 ${\large u}{\tiny GS}$ 称为夹断电压 ${\large u}{\tiny GS(off)}$ 。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压也为负值。但是，前者只能在 ${\large u}{\tiny GS}＜0$ 的情况下工作，而后者的 ${\large u}{\tiny GS}$ 可以在正、负值的一定范围内对 $i\tiny D$ 的控制，且仍保持栅-源间有非常大的绝缘电阻。
耗尽型MOS管的符号如下图所示。
N沟道耗尽型MOS管符号

P沟道MOS管

与N沟道MOS管相对应，P沟道增强型MOS管的开启电压 ${U}{\tiny GS(th)}＜0$ ，当 ${\large u}{\tiny GS}＜{U}{\tiny GS(th)}$ 时管子才导通，漏-源之间应加负电源电压；P沟道耗尽型MOS管的夹断电压 ${\large u}{\tiny GS(off)}＞0$ ， ${\large u}{\tiny GS}$ 可在正负值一定的范围内实现对 $i\tiny D$ 的控制，漏-源之间也应加负电压。

VMOS管

当MOS管工作在恒流区时，管子的耗散功率主要消耗在漏极一端的夹断区上，并且由于漏极所连接的区域(称为漏区)不大，无法散发很多的热量，所以MOS管不能承受较大功率。VMOS管从结构上较好地解决了散热问题，故可制成大功率管，下图所示为N沟道增强型VMOS管的示意图。
N沟道增强型VMOS管的结构示意图
VMOS以高掺杂 $N^{+}$ 区为衬底，上面外延低掺杂N区，共同作为漏区，引出漏极。在外延层N区上有形成一层P区，并在P区之上制成高掺杂 $N^{+}$ 区。从上面俯视VMOS管P区与 $N^{+}$ 区，可以看到它们均为环状区，所引出的电极为源极。中间是腐蚀而成的V型槽，其上生长一层绝缘层，并覆盖上一层金属，作为栅极。VMOS管因存在V型槽而得名。
在栅-源电压 ${\large u}{\tiny GS}$ 大于开启电压 $U{\tiny GS(th)}$ 时，在P区靠近V型槽氧化层表面所形成的反型层与下边N区相接，形成垂直的导电沟道，见上图中所标注。当漏-源间外加正电源时，自由电子将沿沟道从源极流向N型外延层、 $N^{+}$ 区衬底到漏极，形成从漏极到源极的电流 $i\tiny D$ 。
VMOS管的漏区散热面积大，便于安装散热器，耗散功率最大可达千瓦以上；此外，其漏-源击穿电压高，上限工作频率高，而且当漏极电流大于某值(如500mA)时， $i\tiny D$ 与 ${\large u}{\tiny GS}$ 基本成线性关系，场效应管的符号及特性如下图所示。
在这里插入图片描述

应当指出，如果MOS管的衬底不与源极相连接，则衬-源之间电压 ${U}{\tiny BS}$ 必须保证衬-源间的PN结反向偏置，因此，N沟道管的 ${U}{\tiny BS}$ 应小于零，而P沟道管的 ${U}{\tiny BS}$ 应大于零。此时导电沟道宽度将受 ${\large u}{\tiny GS}$ 和 ${U}{\tiny BS}$ 重控制， ${U}{\tiny BS}$ 使开启电压或夹断电压的数值增大。比较而言，N沟道管受 ${U}{\tiny BS}$ 的影响更大些。

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模电·绝缘栅型场效应管_016

绝缘栅型场效应的栅极与源极、栅极、漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛用于大规模和超大规模集成电路中。与结型场效应管相同，MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此MOS管的四种类型为：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管，P沟道增强型管和P沟道耗尽型管。
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