这三个参数对于NandFlash的读写操作来说是比较重要的，没搞清楚这三个参数，后面的事就不用提了，那这三个参数到底是干什么的呢，我们怎么样去配 置他们呢，今天我花了点时间研究了一下这三个参数。在datasheet中对他们的时序有下面两种图示，一种是写命令或者地址的情况，一种是读写数据的情 况：
由上图可知，这三个参数控制的是Nand Flash 信号线CLE/ALE与写控制信号nWE的时序关系。
TACLS：表示CLT/ALE的建立时间(setup time)。
TWRPH0：表示nWE/nRE持续的时间。
TWRPH1：表示写进去的数据起作用的时间(hold time)。
结合上面的图，就可以看出TACLS就相当于tCLS和tALS参数，TWRPH0就相当于tWP，而TWRPH1就相当于tCLH和TALH
上图中有两种电压，1.8和3.3，我们的K9F2G08U0A工作时的电压时3.3V，所以应该选用3.3V对应的时序要求，NandFlash的工作电压在哪里看呢，还是datasheet，如下图所示：
从上图我们可以很容易得看出K9F2G08U0A工作时的电压是3.3V。
那这三个参数在哪里确定呢，它们的值又是怎么算呢？在NFCON这个寄存器中，还是datasheet：
由于我们的HCLK是100MHz，周期也就是10ns，可以设
TACLS=2，即2*10ns=20ns > 12ns；TWRPH0=7，及8*10ns=80ns > 12ns；TWRPH1=7，即7*10ns=70ns > 5ns
符合时序要求
说了这么多其实就是:
tCLS/tALS -> tacls ->3.3v->12ns/1.8v->21ns
tWP -> twrph0 ->3.3v->12ns/1.8v->21ns
tCLH/tALH -> twrph1 ->3.3v/1.8v->5ns
转载自: http://blog.csdn.net/it_114/article/details/6259649
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