主要的努力正在进行感应炉灶制造商增加最大功率和减少烹饪时间,同时也实现高系统效率,以满足严格的能源星级标准。
这些趋势为在感应加热系统中选择合适的IGBT是关键的功率半导体产生了新的要求。考虑到可能是10-15年的炉灶的长寿命,正确的IGBT应该提供低功率损失,以有效和高可靠性的能力来实现炉灶的使用寿命。
基于系统要求,650 V场停止(FS)沟槽IGBTs,如FGH40T65 SHDF,是理想的感应炉灶和逆变器技术微波炉软开关应用。此外,650 V FS沟道IGBT技术与以前的600 V场停止平面IGBT技术相比具有更低的传导损耗,因为VCE(SAT)特性降低了24%(图1)。额外的50 V更高的击穿电压提供了更大的系统设计裕度和可靠性优势。
600 V FS平面与650 V场停止沟槽IGBT的图像