感应炉灶制造商追求更高功率和效率，650V场停止IGBT因降低传导损耗和提高系统设计裕度，成为感应加热和微波炉逆变器的理想选择。与600V IGBT相比，新技术提供更低的VCE(SAT)和EOFF损耗，确保设备在长期使用中的高效和可靠性。
主要的努力正在进行感应炉灶制造商增加最大功率和减少烹饪时间，同时也实现高系统效率，以满足严格的能源星级标准。
这些趋势为在感应加热系统中选择合适的IGBT是关键的功率半导体产生了新的要求。考虑到可能是10-15年的炉灶的长寿命，正确的IGBT应该提供低功率损失，以有效和高可靠性的能力来实现炉灶的使用寿命。
基于系统要求，650 V场停止(FS)沟槽IGBTs，如FGH40T65 SHDF，是理想的感应炉灶和逆变器技术微波炉软开关应用。此外，650 V FS沟道IGBT技术与以前的600 V场停止平面IGBT技术相比具有更低的传导损耗，因为VCE(SAT)特性降低了24%(图1)。额外的50 V更高的击穿电压提供了更大的系统设计裕度和可靠性优势。
600 V FS平面与650 V场停止沟槽IGBT的图像
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