嵌入式学习：存储器总结

1、nor flash：NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。

2、Nand flash

3、SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。

4、DRAM：动态随机存储器

5、DDR3：DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品规格。

6、SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。

7、SD

8、MMC

9、eMMC：就是为了简化内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。

10、CompactFlash

11、ROM：只读存储器的总称。

12、PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。

13、EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。

14、EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。

15、DRAM是用PN结电容存储0/1的，由于漏电的存在，时间长了两级板电位差会消失也就是1会变成0，所以过一段时间需要根据里面的内容补充电荷，这叫刷新。刷新过程中不能读写。SDRAM是DRAM的一种，增加了同步时钟，提高了读写速率。从原理来说现在的DDR3也是SDRAM的一种。不过约定俗成的说法是SDRAM只包含最早的单倍速读写SDRAMSARM存储数据的单元是D触发器，这种双稳态电路的0/1状态都是稳定的所以不需要刷新，只要有电就能一直存下去。从存储密度来说，DRAM/SDRAM每个bit需要一个晶体管，而SRAM最少需要4个，高速SRAM需要6个以上，而且由于晶体管之间的互联SRAM复杂得多，占了很大的空间，所以同制程的SRAM容量要小的多。从速度来说，DRAM/SDRAM需要刷新和回写，极速比不上SRAM。所以CPU的缓存是SRAM，主内存用SDRAM从省电的角度来说，DRAM/SDRAM要刷新比较费电，而省电设计的SRAM只要一个纽扣电池就可以保存数年之久（比如以前的游戏卡）