区分PMOS管和NMOS管的巧妙记忆方法

MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此,我想了一个方法,可以让大家很快的甚至是很难忘的记住这些东西。
       源极:它就是来源,是源头,因此电流应该是从源头到别的地方,到哪呢?是漏极,肯定不是栅极,因为栅极是控制极,是发号施令的一个极,因此表演的应该是源极与漏极才对。这样一来,栅极就是导演,源极和漏极就是演员,只不过源极是主演,漏极是副角。这三个角色就在MOS这个舞台上发挥各自的职责。
        MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;PMOS管就是positive管,是积极的管,而NMOS管是negative管,是消极的管。积极的管就是顺应潮流,顺势而为;消极的管就是违背趋势,逆流而上。
       很显然,电流从源极(输入端)到漏极(输出端),那就是顺势而为,因为源极就是源头嘛,因此这种管就是PMOS管;而电流要是从漏极(输入端)到源极(输出端),那就是逆流而上,是NMOS管。
PMOS管和NMOS管的电学符号是如下这样的:


记忆技巧:
1.交叉的线最多的是源极;
2.栅极也就是门(gate),既然是门,就具有控制的职能。
3.无论是PMOS管还是NMOS管,二极管的方向正好与输入输出的方向是相反的
4.无论是PMOS管还是NMOS管,栅源极箭头的方向正好与二极管的方向相同
5.无论是PMOS管还是NMOS管,我们只需要比较G极电压与S极电压大小关系就可以判断MOS管能不能导通
6.对于PMOS管来说,电流是从源极(输入端)到漏极(输出端),从上到下,各节点电平应该是依次变小的,因此栅极G的电压必须小于源极电压;换句话说,当UGS<0时,PMOS管才导通。
7.对于NMOS管来说,电流是从漏极(输入端)到源极(输出端),从下到上,各节点电平应该是依次变小的,因此栅极G的电压必须大于源极电压;换句话说,当UGS>0时,NMOS管才导通。
无论是PMOS管还是NMOS管,它们的实物管脚名称都是完全一样的:

                                       

MOS管的三极名称  

                                                                                           

 

晶体管的三极名称

       MOS管的实物管脚位置好像与电学符号的位置并不是一一对应的,原本最不起眼的演员漏极D,居然还占据了电学符号中导演的位置,而导演G却占据了最优秀演员S的位置,S则只能屈居于D的位置。这样的记忆方法是不是很酷?
另外,有一个链接值得大家去看看:https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html

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在电子电路设计中,PMOS(P型金属氧化物半导体)管NMOS(N型金属氧化物半导体)管是两种不同类型的场效应晶体管(FET),它们可以组合使用来构建各种复杂的电路。PMOSNMOS管最常用的是在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中,因为它们互补的特性使得电路在功耗、速度噪声容忍度方面具有很好的性能。 CMOS技术广泛应用于数字逻辑电路中,其中PMOSNMOS管通常按以下方式组合: 1. CMOS反相器:这是最基本的CMOS电路,由一个PMOS一个NMOS管串联组成。这两个管子的源极分别接到电源(Vdd)地(Gnd),漏极相连并输出信号。输入信号同时加到两个管子的栅极。当输入为低电平时,NMOS截止而PMOS导通,输出为高电平;当输入为高电平时,PMOS截止而NMOS导通,输出为低电平。这样的配置使得CMOS反相器的功耗很低,因为它只有在状态切换时才消耗电流。 2. CMOS逻辑门:除了反相器,PMOSNMOS管也可以组合成其他类型的逻辑门,如AND门、OR门等。这些门电路同样利用PMOSNMOS管的互补特性来实现逻辑功能。例如,在一个CMOS NAND门中,输出为低电平的条件是两个输入都为高电平,这时NMOS管会导通,PMOS管截止,形成低电平输出。其他输入组合下,PMOS管导通而NMOS管截止,输出为高电平。 3. CMOS锁存器触发器:在时序逻辑电路中,CMOS技术同样被广泛使用。PMOSNMOS管可以构建各种存储元件,如锁存器触发器,它们用于存储数据位并在时钟信号的控制下传递数据。 在实际应用中,PMOSNMOS管的选择匹配非常重要,因为它们的电气特性直接影响到电路的性能。PMOS管通常在阈值电压载流子迁移率方面不如NMOS管,因此在设计时需要特别注意。
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