IGBT体二极管参数

学习记录：

一：反向恢复过程

在图1所示的二极管电路中，加入一个如图2所示的输入电压。即在 0~ 时间内，输入为 ，二极管导通，电路中有电流流过。

 

假设二极管的正向压降为 ，当  远大于  时， 可忽略不计；
如果在  时刻，输入 突然从  变为 ，在理想情况下，二极管将即刻变为截止状态，电路中只有很小的反向漏电流。

但在实际情况中，二极管并不会立即变为截止状态，而是先有正向的  变为一个很大的反向电流 ，这个反向电流会维持一段时间  后才开始逐渐下降，再经过 时间后，下降到一个很小的数值 ，这时二极管才会进入反向截止状态。该过程如图3所示。

 

一般将二极管从正向导通变为反向截止的过程成为反向恢复过程。其中  称为存储时间， 称为渡越时间， 称为反向恢复时间。

二极管的开关速度受到反向恢复时间的限制。

二：原因
产生上述现象的原因是由于电荷存储效应。

由于二极管外加正向电压 时，P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的电子向 P 区扩散，不仅使得耗尽层变窄，而且使得载流子有相当数量的存储，在 P 区内存储了电子，在N 区内存储了空穴，它们都是非平衡少子。

空穴由 P 区扩散到 N 区后，并不是立即与 N 区中的电子复合后消失，而是在一定的路程（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定的空穴浓度分布，靠近 PN 结边缘的浓度高，离 PN 结越远，浓度越小。
正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到 P 区的情况类似。

把正向导通时，非平衡少子积累的现象叫做电荷存储效应。

当输入电压突然由 变为 时， P 区存储的电子和 N 区存储的空穴不会马上消失，它们会通过以下两个途径逐渐减少：
       1.在反向电场的作用下， P 区电子被拉回 N 区， N 区空穴被拉回 P 区，形成反向漂移电流  ；
       2.与多数载流子复合消失。

在这些存储电荷消失之前，PN结仍处于正向偏置，即耗尽层仍然很窄，PN结的电阻仍然很小，与  相比可以忽略，所以此时反向电流。表示PN结两端的正向压降，一般有，即。在这段时间，基本上保持不变，主要由 和  决定。经过  时间后，P 区和 N 区所存储的电荷已显著减小，耗尽层逐渐变宽，反向电流  逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过  时间后，二极管转为截止状态。

由上可知，二极管的反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间  短，则二极管在正、反方向都可以导通，起不到开关的作用。

IGBT:反向二极管参数

Reverse Recovery Charge Qrr

Q=I^2Rt (I^2表示I的平方）
焦耳原理，电量与电流的关系