二极管反向恢复特性

最新推荐文章于 2024-07-19 10:09:09 发布
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分类专栏： 硬件 元器件 文章标签： 硬件工程
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二极管

二极管的特性是单向导通；
在这里插入图片描述
假设在二极管两端加上一个电压Vin：
0~t1时，输入电压为Vf，二极管导通；
t1~t2时，输入电压由Vf变为-Vr，二极管截至；
在这里插入图片描述
理想情况下：t1时二极管立刻截至，电路中只有很小的反向电流；
实际情况下：二极管并不会立刻截至，二极管中的电流由If变为一个很大的反向电流-Ir，这个电流会持续一段时间，之后逐渐下降，变为-0.1Ir，这时二极管才进入反向截至状态；
在这里插入图片描述
ts——存储时间
ts——渡越时间
tre——反向恢复时间，tre=ts+tt

二极管专题：二极管的反向恢复时间（动态特性）
五花带点肉
07-24 2万+
sdccsv
二极管的反向恢复过程
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01-01 4万+
一、二极管的反向恢复过程 在下图的电路中 V上输入如下的电压波形： 则二极管上的电流波形如下：     可以看到，当通入正向电压时，二极管导通，二极管上的电流为I1，当通入的电压突然反向时，二极管上的电流也瞬间反向了，随后才变小，进而进入反向截止状态。这个现象就叫二极管的反向恢复。反向电流保持不变的这段时间称为储存时间ts，反向电流由I2下降到0.1I2所需的时间称
整流二极管的反向恢复过程图解
07-12
随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。快恢复二极管作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关， 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通（电阻很小）、断（电阻很大） 特性， 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于，“开”与“关”由所加电压的极性决定， 而且“开”态有微小的压降Vf，“关”态有微小的电流I0。当电压由正向变为反向时， 电流并不立刻成为（-I0） ， 而是在一段时间ts 内， 正向电流始终很大， 二极管并不关断。经过ts后， 正向电流才逐渐变小， 再经过tf 时间， 二极管的电流才成为（-I0） ，。ts 称为储存时间，tf 称为下降时间。tr=ts+tf 称为反向恢复时间， 以上过程称为反向恢复过程。
Simulink尝试双脉冲实验验证MOSFET二极管反向恢复的特性（附仿真模型）
weixin_42665184的博客
06-08 6795
仿真模拟了两种管子的模型，对于上面一组模型，可以仿真出功率器件的部分特性而并非像第二种模型一样是理想器件，本来想用第一种器件去构建完整的控制算法，更接近实际的仿真模型，但是没有达到理想的效果，如果不设置步长，第一种模型的失真较高，如果设置步长要实现接近实际器件的特性，仿真步长需要非常小，想要跑完一个仿真除了电脑要很强，其次就是需要仿真很长的时间了，目前还没找到好的解决办法。
二极管反向恢复时间和反向恢复电流
大志0的博客
05-12 7882
二极管
二极管的反向恢复原理
weixin_50173146的博客
03-01 6216
反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。假设为Trr，若有一频率为T1的连续PWM波通过二极管，当Trr《T1时，二极管方反向时就不能阻断此PWM波，起不到开关作用。二极管的反向恢复时间由Datasheet提供。反向恢复时间快使二极管在导通和截止之间迅速转换，可获得较高的开关速度，提高了器件的使用频率并改善了波形。 快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr）在几百纳秒（ns）以下，超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。所谓反向恢复时间（t
参考资料-理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性.zip
01-17
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是电子...在提供的“理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性.pdf”文档中，应包含了更详尽的技术细节和实例分析，对于进一步学习这一主题非常有帮助。
功率二极管反向恢复特性模拟研究
01-29
针对功率二极管反向恢复既快又软的开关特性要求，根据Rajapakse.二极管反向恢复模型，模拟二极管反向恢复I- t、V-t 变化规律，模拟结果与已有文献结果吻合，通过控制变量得到不同存储时间trra、恢复时间trrb、正向...
电子测量中的测试二极管反向恢复特性的分析仪
11-22
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一种从所得到的波形中提取特征的手段。总而言之，这并不是一项很简单的例行操，作应由专业...
元器件应用中的二极管反向恢复电流
11-16
以AC/DC Boost开关电源为例，如图1所示，主电路中输人整流桥二极管产生的反向恢复电流的di/dt远比输出二极管D反向恢复电流的|di/dt|要小得多。图2是图1开关电源中输人整流桥二极管和输出二极管的电流idc和iD波形。可见前者的反向恢复电流的最大值仅为50mA，而后者反向恢复电流的幅值达12A，而且持续时间短。显然,作为电磁干扰源来考察，后者形成的干扰强度大，而且频带也宽得多。另外，整流桥二极管产生的电压跳变，也远小于功率MOSFET开关管导通和关断时产生的电压跳变。因此，可以不计整流桥二极管产生的|du/dt|和|di/dt|的影响，而把整流电路当成电磁干扰耦合通道的一部分来加以
抑制功率二极管反向恢复几种方案的比较
10-29
高频功率二极管在电力电子装置中的应用极其广泛。但PN结功率二极管在由导通变为截止状态过程中，存在反向恢复现象。这会引起二极管损耗增大，电路效率降低以及EMI增加等问题。这一问题在大功率电源中更加突出。常用RC吸收、串入饱和电抗器吸收、软开关电路等开关软化方法加以解决，但关于其效果对比的研究报道尚不多见。本文以Buck电路为例，对这几种方案进行了比较，通过实验及仿真得出有用的结论。
参考资料-传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估.zip
01-17
本压缩包包含的“传统MOSFET和超结MOSFET的体二极管反向恢复特性评估”文档，主要探讨了这两种MOSFET类型的体二极管在反向恢复过程中的行为及其对系统性能的影响。 首先，我们来理解一下MOSFET的基本结构。传统...
二极管反向恢复特性的的测量设备和过程实现
01-20
测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备。必须能够建立正向导通条件、正向闭锁状态、及两者间的过渡。还需要有一种从所得到的波形中提取特征的手段。总而言之，这并不是一项很简单的例行操，作应由 人员...
二极管（一）：反向恢复时间
最新发布
weixin_45211050的博客
07-19 2377
表示PN结两端的正向压降，一般有，即。空穴由 P 区扩散到 N 区后，并不是立即与 N 区中的电子复合后消失，而是在一定的路程（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定的空穴浓度分布，靠近 PN 结边缘的浓度高，离 PN 结越远，浓度越小。由于二极管外加正向电压 时，P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的电子向 P 区扩散，不仅使得耗尽层变窄，而且使得载流子有相当数量的存储，在 P 区内存储了电子，在N 区内存储了空穴，它们都是非平衡少子。
二极管反向恢复过程详细解析
KS的博客
04-18 4905
二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流I0。反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。但实际情况是，二极管并不立刻截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VR／RL，这个电流维持一段时间tS后才开始逐渐下降，再经过tt后，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。
肖特基二极管的反向恢复过程
记得诚
11-29 1万+
本博客简述肖特基二极管反向恢复过程。
二极管正向导通、反向截至、结电容及反向恢复时间
weixin_52225677的博客
05-20 2163
可以将内建电场理解为电源电压，外界电源电压大于内建电场电压时，会形成P区空穴向电源负极流动，N区电子向外部电源正极流动，外部电源给内建电场充电，内建电场区扩大电压增高，当两者电压相等时即达到平衡，电流消失，二极管承受全部的反偏电压（反偏电压升高，内建电场变宽——势垒电容）P区的空穴向N区移动，N区的电子向P区移动，且外部电压越大，电流越大，相互进入的载流子也越多，此时二极管为良导体（电压越高电荷量越多——扩散电容）正向导通二极管施加反向电压后。3、反向恢复时间（trr）
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