功率半导体静态试验测试方法

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分类专栏：功率半导体检测文章标签：静态半导体 IGBT

于 2024-06-18 16:07:55 首次发布

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VCES 集电极-发射极饱和电压

VCES（Voltage Collector-Emitter Saturation，集电极-发射极饱和电压）是指晶体管（通常指双极型晶体管，如BJT）在饱和工作区时集电极与发射极之间的电压。

测量VCES的过程通常如下：

准备设备与连接
•使用适当的直流电源为晶体管的基极、集电极和发射极供电。
•使用电流源为基极提供一定的驱动电流（IB）。
•连接万用表或示波器来测量集电极与发射极之间的电压（VCE）。
调整基极电流
•逐渐增大基极电流，使晶体管进入饱和状态。饱和状态特征是尽管增大IB，但集电极电流IC的增长速度明显减缓，且VCE保持较小的恒定值。
测量饱和电压
•当晶体管进入饱和状态后，记录此时集电极电流IC和集电极与发射极之间的电压VCE，所记录的VCE即为VCES。
重复测量
•为了获得可靠的VCES值，通常需要在不同的基极电流条件下多次测量，特别是在设计电路或测试批量晶体管时，可能需要选取几个典型值的IB来观察VCE的变化，并确保晶体管真正进入了饱和区。
注意安全与规格
•在测量过程中务必遵守安全操作规程，确保电源电压和电流不超过晶体管的最大额定值。
总之，VCES的测量是一个动态过程，需要通过调整基极电流并观察集电极-发射极电压的变化来得出。实际操作中，根据具体情况，可能还需要借助于负载线分析（Load Line Analysis）等方法来精确测定饱和电压。

测试VCES的主要目的是：

确定饱和行为：
•测试 VCES 可以帮助确定晶体管何时真正进入饱和状态，这对于理解晶体管作为开关元件的行为至关重要。在饱和状态下，晶体管起到类似闭合开关的作用，允许电流从集电极到发射极自由流动，而集电极-发射极电压保持在一个相对较低的恒定值。
评估饱和压降：
•VCES 的大小直接影响到晶体管在饱和模式下的功率损耗和效率。低的 VCES 值有利于降低功耗，提高开关速度和整体系统效率。
确保设计参数匹配：
•在设计电路时，了解晶体管的 VCES 参数有助于正确配置电源电压、基极驱动电流以及其他电路参数，确保晶体管能在预期的工作条件下正常饱和。
质量控制和一致性：
•生产厂家通过对晶体管进行 VCES 测试，可以确保生产出的产品具有稳定的饱和性能，并符合产品规格书中的参数要求。
可靠性评估：
•VCES 的变化也可能反映了晶体管的温度特性和老化程度，因此测试这一参数也有助于评估晶体管的长期可靠性和使用寿命。

通过VCES测试，工程师可以更好地了解晶体管的饱和特性，以便于在电路设计和优化中做出合理的选择和决策。

V(BR)CES 集电极-发射极击穿电压

V(BR)CES 是指双极型晶体管（BJT）的集电极-发射极击穿电压（Voltage Breakdown Collector-Emitter）。这个参数是在极端条件下，当施加在集电极与发射极之间的电压增加到一定程度时，晶体管发生雪崩击穿或齐纳击穿现象时的电压值。

测试 V(BR)CES 的方法大致如下：

准备设备与连接
•使用高压源为晶体管的集电极（C）和发射极（E）提供可调电压。
•发射极接地，集电极连接到高压源的正极。
•基极（B）通常通过一个高阻值电阻（几十千欧姆甚至兆欧级别）接地，以确保基极电流极小（甚至是接近零）。2. 逐步升高电压
•逐步增加施加在集电极和发射极之间的电压，并监测集电极电流 IC 和基极电流 IB。
•在初始阶段，由于电压较低，集电极电流应保持在非常低的水平（微安级别或更低）。
检测击穿
•当电压升高到某一临界值时，集电极电流会突然上升，表明晶体管发生了雪崩击穿或齐纳击穿。
•此时记录下来的电压值即为 V(BR)CES。
安全措施
•由于测试过程中需要用到较高的电压，必须采取足够的安全措施，如在试验台周围使用绝缘保护，并使用适当的电流和电压限制设备，以防损坏测试设备和保障人员安全。
重复测量与确认
•为了获得可靠的结果，通常需要在多个样品上重复测试，并考虑温度等因素的影响，因为V(BR)CES的值可能随温度变化。

测试主要目的是：

测量双极型晶体管（BJT）在特定条件下集电极-发射极之间的击穿电压，具体为当晶体管集电极-发射极结处于饱和区域时的雪崩击穿电压。

这个参数的重要性体现在：

安全工作区界定：
•V(BR)CES 测试有助于确定晶体管在饱和工作模式下的极限电压，超出这个电压值，晶体管可能会遭受永久性损坏。因此，知道这个参数可以帮助设计者确保晶体管在设计的电路中不会因电压过高而击穿失效。
可靠性评估：
•测试 V(BR)CES 可以评估晶体管在高压应用中的耐用性和可靠性。高的击穿电压意味着晶体管在承受瞬态高压或大信号波动时有更高的抵抗能力。
电路设计优化：
•理解并知道晶体管的 V(BR)CES 参数，设计师可以更准确地选择合适的电源电压、驱动条件和保护电路，确保晶体管在正常工作时不会达到击穿电压，从而提高整个电路的稳定性和安全性。
品质控制：
•在半导体制造过程中，对每一批次的晶体管进行 V(BR)CES 测试，可以确保产品的质量和一致性，符合器件的规格书要求。

ICES 集电极截止电流

ICES（Collector-Emitter Saturation Current）通常指的是双极型晶体管（如BJT）在集电极-发射极饱和状态下的穿透电流，也称为集电极-发射极反向饱和电流。
在标准测试条件下，它是当基极开路（即IB = 0）时，集电极和发射极之间的反向电流。

ICES的测量方法通常如下：

准备设备与连接
•使用稳压电源为晶体管的集电极©和发射极(E)提供一个固定的反向电压。
•将发射极接地，集电极连接到电源的正极。
•基极(B)悬空或通过一个高阻值电阻接地，确保基极电流IB接近于零。
设置电压与测量
•根据晶体管数据手册的推荐值或标准测试条件设定集电极-发射极反向电压VCE（一般远低于V(BR)CEO，即集电极-发射极反向击穿电压）。
•使用毫安表或皮安表（具有较高灵敏度的电流表）串联在集电极和电源之间，以测量集电极电流IC。
记录数据
•当晶体管处于基极开路状态且集电极-发射极电压稳定时，测量并记录流经集电极的微小反向电流，此即ICES。
注意事项
•实际测试ICES时，由于其电流值很小，通常需要使用高精度仪表和良好的屏蔽环境以减少干扰。
•由于ICES受温度影响较大，有的时候会在特定温度下（如25°C）进行测试，并在数据表中标注。
重复性与一致性
•为了保证测试结果的可靠性，应在多个样品上重复测试，并对比不同批次或不同条件下的ICES值。

集电极-发射极反向饱和电流（有时也称作穿透电流ICEO或ICE(SAT)）是在基极开路（即IB = 0）条件下，集电极与发射极之间由于少数载流子漂移而产生的电流。

测试ICEO的目的主要有：

评估器件质量：
•ICEO测试可以反映出晶体管内部材料的纯净度以及PN结的质量。较小的ICEO值通常意味着更好的器件质量，因为这表明载流子泄漏少，器件的噪声性能和热稳定性更好。
电路设计参考：
•在低噪声放大器和高增益电路设计中，ICEO是非常重要的参数，因为它在电路关闭或待机状态下仍然会产生噪声和功耗。了解ICEO的大小有助于设计者选择合适的偏置电路和补偿措施。
可靠性预测：
•ICEO的大小还与器件的长期稳定性有关。随着器件的老化，ICEO可能会增加，因此它可以作为评估器件寿命和可靠性的参考指标之一。
热稳定性考量：
•ICEO通常随温度上升而增大，因此，测试ICEO有助于设计者了解器件在不同温度下的性能变化，以便进行热设计和补偿。

总之，测试集电极-发射极反向饱和电流ICEO的主要目的是为了评估和改进半导体器件的性能，以及确保其在特定应用中能够满足噪声、功耗和稳定性的要求

IGES 栅极发射极漏电流

IGBT栅极发射极漏电流（IGES）测试方法主要是用来检测IGBT在关闭状态下栅极和发射极之间的绝缘性能及半导体材料质量，它是IGBT的一个重要静态参数。

测试步骤如下：

测试准备：
•将IGBT的集电极（C）与发射极（E）短路，保证没有电压加在其两端，从而消除集电极-发射极间的电流影响。
施加电压：
•在栅极（G）和发射极（E）之间施加一个特定的直流电压（通常是额定值或逐渐递增至某一测试电压），但不高于IGBT的栅极-发射极最大耐压值。
测量电流：
•连接一个高阻抗的电流表或通过一个已知阻值的电阻作为采样电阻（Rs）接入栅极-发射极回路，间接测量流过这个电阻的电压降，并计算得到相应的电流值。
记录数据：
•记录在不同栅极-发射极电压下的漏电流数值。
评估结果：
•根据所测得的IGES值判断IGBT的质量好坏，正常的IGBT应该具有较低的栅极-发射极漏电流，如果该电流过大可能意味着器件存在缺陷或老化现象。

总的来说，IGBT的IGES测试是为了确保器件在关断状态下的低功耗以及长期稳定工作能力。在实际测试中，工程师会按照器件规格书中的推荐条件进行测试，并且需要确保测试环境符合安全标准，防止因过压造成设备损坏。

对于IGBT的栅极发射极漏电流（IGES）测试目的，主要包括：

评估半导体材料质量：
•测试IGES可以帮助确定IGBT内部栅极氧化层的质量和完整性，以及半导体材料的掺杂均匀性。
确保器件性能：
•较小的IGES意味着器件在关闭状态下具有更好的绝缘性能，这有助于降低待机电流损耗和噪声，提高器件的可靠性和效率。

VGE(th) 栅极发射极阈值电压

VGE(th) 是 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 的一个重要参数，表示栅极-发射极阈值电压，即当给定一个最小的栅极-发射极电压时，开始产生集电极电流所需的电压。

测试方法如下：

测试设备与连接：
•准备一个可调直流电源作为栅极电源，以及一个用于测量栅极电流和集电极电流的电流表，以及一个用于测量栅极-发射极电压的电压表。
•将IGBT的集电极（C）通过一个适当的负载电阻与电源相连，发射极（E）接地。
•将栅极（G）通过一个高阻值的限流电阻连接到可调直流电源。
初始化测试条件：
•将集电极-发射极电压（VCE）设定在一个安全且满足测试要求的值，例如小于集电极最大额定电压。
•通常先将栅极-发射极电压（VGE）设置为0，然后逐渐增加。
测试过程：
•缓慢增加栅极-发射极电压（VGE），同时监控集电极电流（IC）。
•当集电极电流开始显著增长时，即表明IGBT开始导通。
•记录下这时的栅极-发射极电压值，这个值就是VGE(th)，即阈值电压。
重复验证：
•为了得到准确的结果，可以在不同温度和不同栅极电阻下重复测试，并依据测试数据绘制VGE-th与温度或栅极电阻的关系曲线。
安全与注意事项：
•测试过程中务必注意安全，不要超过器件的最大额定电压和电流，并确保测试环境符合静电防护和电气安全规范。

测试结束后，所得的VGE(th)值可以反映IGBT的开启特性，对于评估IGBT的工作性能和优化电路设计非常重要。

测试VGE(th)的主要目的包括：

确定开启电压：
•VGE(th) 是晶体管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅极-发射极电压。测试该参数可以明确晶体管的开启阈值，这对于设计合适的驱动电路至关重要，确保晶体管能在所需的时候准确切换状态。
评估器件性能：
•VGE(th) 的值直接影响器件的开关速度、功耗以及电路的静态功耗。一个较低且稳定的阈值电压通常意味着更快的开关速度和更低的待机电流，这对于低功耗应用尤为重要。
品质控制：
•在生产和质量控制过程中，对每个晶体管进行VGE(th)测试，可以确保所有产品的一致性和性能达标，满足规格书上的参数要求。
工艺监控：
•VGE(th) 测试结果可以反馈半导体制造工艺的稳定性，帮助制造商及时发现并调整生产线参数，确保产品质量和良率。
温度和应力影响评估：
•VGE(th) 受温度和老化影响，测试该参数还可以了解器件在不同工作温度和长时间使用后的阈值电压变化趋势，这对于器件的可靠性评估和使用寿命预测十分重要。

因此，VGE(th)测试的目的在于全面理解和控制晶体管的开关特性，确保其在各类应用中都能发挥预期性能，并且符合设计和使用要求。

扩展截止电流和漏电流区别

IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为电力电子器件，在其工作特性和性能分析中，“截止电流”和“漏电流”是两个不同的概念，它们各自描述了IGBT在不同工作状态下的电流行为。

截止电流（Off-State Current）

截止电流通常指的是当IGBT处于截止状态时，即栅极没有施加足够的电压以开启器件，集电极与发射极之间理论上应该没有电流流过。然而，由于半导体制造工艺的限制和器件的非理想特性，实际上在截止状态下仍然会有极其微小的电流存在，这个电流通常非常小，被称为截止状态下的泄露电流。在器件规格书中，这个电流一般会有明确的限定值，用于评估IGBT在截止状态下的性能。理想情况下，截止电流应该趋近于零，但实际上总是存在一定的泄露。

漏电流（Leakage Current）

漏电流在半导体器件中通常指的是在没有外加激励或控制信号的情况下，通过器件的电流。对于IGBT而言，漏电流特指器件在截止状态下（即栅极未加驱动电压或加有关闭电压）集电极到发射极之间的电流。它包括了寄生漏电流、表面漏电流等多种来源，主要由半导体材料的本征性质和器件制造过程中的杂质、缺陷等因素决定。漏电流的大小是评价IGBT质量的一个重要指标，过大的漏电流会增加功耗，降低效率，甚至影响系统的正常工作。

主要区别

•定义范围：截止电流是IGBT在截止状态下的总电流描述，包含了漏电流，而漏电流是截止电流的一部分，专指无预期的微小电流泄露。
•关注重点：截止电流是衡量IGBT截止状态下性能的综合指标，关注的是整体的截止状态电流水平；漏电流则更专注于探讨无激励下的电流泄露特性。
•性能评估：评估IGBT的截止电流主要是看其是否满足低功耗和高阻断能力的要求；而评估漏电流则更偏向于考察器件的制造质量和长期工作的可靠性。

总之，虽然两者都描述了IGBT在不导通时的电流特性，但截止电流是一个更宽泛的概念，包含了所有在截止状态下的电流，而漏电流则特指这部分非期望的、泄露性质的电流。