电子元件-电容

电容

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等效模型

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理想的电容在实际中是不存在的,电容的实际模型是一个ESR串联一个ESL,再串联一个电容,ESR是等效串联电阻,ESR是等效串联电感,C是理想电容。自谐振频率点是区分容性还是感性的分界点,高于谐振点时,电容不在是电容,因此退耦作用将下降,实际电容器都有一定的工作频率范围,在工作频率范围内,电容才具有很好的退耦作用,ESL是电容在高于自谐振频率点之后退耦功能被削弱的根本原因
 ESR越低,电容充放电的速度越快,这个性能直接影响到微处理器供电电路的退耦性能
 电容C公式:
 C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离, k则是静电力常量

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参数

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主要参数:容值、耐压、封装、精度、材料、频率特性、温度特性

容值

选择合适的值

耐压

在理论上MLCC的标称电压只要大于实际最大电压(即工作电压加上波动电压最大值)就可以,但是实际上,往往选择大于工作电压的一倍,例如12V工作系统我们一般都会选择25V耐压或者更高。对于容值较小的,我们一般直接选择50V耐压,一般MLCC都是50V的。这样的好处就是同一个电容可以应用各个电压电路,减少料种还有就是可以大量采购,降低价格

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封装

现阶段主流的0402封装的(价格相对低,空间占用少),一般会主选0402,如果0402的容值和耐压不构成优势,会根据具体参数选用其他封装形式的

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精度

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材料

NPO/C0G(区别是标准不一样),X7R,X5R,Z5U,Y5V 。我们一般选取X7R,容值是pF级的一般会用NPO,像晶振的负载电容。主要区别是的介质材料不同,不同的介质种类由于它的主要极化类型不一样,其对电场变化的响应速度和极化率不一样,在相同的体积下的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性也不同。介质材料按容量的温度稳定性可以分为2类:I类陶瓷电容和II类陶瓷电容器

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频率特性

.电容电容容量C会随着频率的变化而变化。频率越高,容量越小;频率越低,容量越大

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电容阻抗随频率的变化而变化
根据阻抗曲线可以判断,不同的参数的电容对不同频率的吸收特性
横轴上是频率,纵轴是阻抗,我们能很清楚的看出在各个频率点上,电容的总阻抗是多少。也能知道它在哪个频率点上谐振, ESR是多少。

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不同的电容,曲线是不同的,容量大的ESR要小写,谐振频率低些,主要滤低频。容量小的ESR要大些,谐振频率要高些,主要滤高频

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温度特性

电容容量C随温度变化而变化
根据温度曲线去查看,在不同温度下,电容的状态变化
温度升高,容量也会升高;温度降低,容量也会降低

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损耗角

Q(品质因数)值和D值(损失角)Q=1/D(这两个参数一般在高频和射频影响很大)
损耗角随温度的变化关系

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用途

滤波(电源滤波,信号滤波,EMC滤波)旁路,去偶之类的都放在这部分
耦合(高速信号耦合电容,音频耦合电容)
延时电路(上电延迟,缓启动)
储能
温度补偿(晶体的负载电容)
转折频率(高通、低通、带通、带阻等)
隔直通交
防静电(接口和对大地快速放电)
产生谐振

损坏

板子边缘,做分板的时候,受力区,螺钉附近。
机械损坏,加工过程中过使用过程中,电容收到外力撞击损坏
热冲击,引起的电容失效 

厂家

主要MLCC主要生产厂家:美国基美(KEMET);日本村田、京瓷、丸和、TDK;韩国三星;台湾国巨;大陆有名的则是宇阳、风华高科、三环

参考笔记

https://www.yageo.com/upload/media/product/products/datasheet/mlcc/UPY-GP_NP0_16V-to-50V_18.pdf
https://editor.csdn.net/md?not_checkout=1&spm=1010.2135.3001.5352&articleId=124875802
https://blog.csdn.net/weixin_42005993/article/details/106983988
https://baijiahao.baidu.com/s?id=1718417058572788838
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