自举电路原理分析

原文来自公众号:工程师看海

自举电路字面意思是自己把自己抬起来的电路,是利用自举升压电容的升压电路,是电子电路中常见的电路之一。

我们经常在IC外围器件中看到自举电容,比如下图同步降压转换器(BUCK)电路中,Cboot就是自举电容

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为什么要用自举电路呢?这是因为在一些电路中使用MOS搭建桥式电路,对于下管NMOS导通条件很好实现,栅极G与源极S之间的电压Vgs超过Vgs(th)后即可导通,Vgs(th)通常比较低,因此很容易实现。

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而对于上管Q1而言,源极S本来就有一定的输出,要知道,当上管导通时,漏极D和源极S之间的电压Vds是很小的,如果要想直接驱动栅极G,满足Vgs>Vgs(th)的条件,则需要在栅极G和地之间加一个很高的电压,这个难以实现控制。

自举电路应运而生。

有了自举电路,就可以轻松在上管栅极G产生一个高压,从而驱动上管MOS。

具体原理框图如下:

输入总电压VIN经过internal regulator后输出一个直流低压V,用于Vboot充电,这个internal regulator一般是LDO架构的电源。

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当下管Q2导通时,SW电压为0,LDO输出电压V—>二极管—>自举电容C1—>下管Q2,通过这条回路对电容进行充电,电容两端两端电压约等于V,此时A点电压也是V。

当下管Q2断开时,SW位置电压不是0,电容两端存储了电压V,A点电压被太高后比SW位置电压高了V,相当于Q1的栅极G比源极S高了电压V,使得上管Q1导通,此时A点的电压变为V+Vsw,实现了电压抬升,自己把自己的电压举了起来。

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下图是某IC自举电容电压实测波形,黄色和绿色曲线分别是电容两端相对于系统GND的电压波形,粉色是V绿-V黄,是电容两端的电压波形。

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可以看到随着管子的开关,电容两端的电压一直不变,保持为内部LDO的电压,而电容两端相对于系统GND的电压一直在波动,一会被升上去,一会又降下来,以此实现在需要的时候,电容高边的电压足够高,以驱动上管导通。

以上就是自举电路的基本原理。

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对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 控制 电源 (三路用于 P侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 路用于 N侧驱动 侧驱动 )。通过 自举电路 自举电路 实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一(N侧控制电源 侧控制电源 侧控制电源 )。 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 1-1所示,其使用 所示,其使用 所示,其使用 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 驱动 P侧 IGBTIGBTIGBTIGBT和 MOSFETMOSFETMOSFET MOSFET 的控制电源。 控制电源。 控制电源。 自举电容提供 自举电容提供 自举电容提供 P侧器件开通 侧器件开通 时栅极充电 栅极充电 栅极充电 所需电荷 所需电荷 ,并提供 ,并提供 ,并提供 P侧驱动 侧驱动 IC 中逻辑电 逻辑电 路消耗的 消耗的 电流。如图 电流。如图 电流。如图 1-2所示 ,由于 ,由于 采用 自举 电容代替 电容代替 隔离 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 电路实现的 电路实现的 浮动电源 浮动电源 只适用于像 适用于像 适用于像 DIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPM这样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 。 逆变过 程中当输出端 程中当输出端 程中当输出端 (U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W) 电位会 电位会 拉低到 拉低到 GNDGNDGND附近 时,N侧 15V15V 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量对自举电容充。但由于开关序列, 量限流电阻等制 限流电阻等制 限流电阻等制 使自举电容 自举电容 自举电容 可能 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 充电 不完全 不完全 将 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 导致的自举电容欠压,进而使 模块工作 模块工作 模块工作 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 状态。 状态。 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, P侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自举电路设计时应该做充分的考虑和评估。
NMOS自举电路(bootstrap circuit)是一种电路设计技术,用于提供高电压至NMOS晶体管的栅极。NMOS自举电路原理是利用电容储存电荷并通过放电来达到高电压供应的目的。 NMOS晶体管的栅极需要施加一定的电压,以控制其导通或截止。然而,在一些应用中,需要将高压应用在NMOS栅极上,以提供更大的电流和响应速度。这是由于NMOS晶体管的开口电压较大。 NMOS自举电路通过添加一个被称为引导电容的电容来实现这个目标。在NMOS自举电路中,引导电容被连接到NMOS晶体管的源极和栅极之间,而不直接接地。 在工作过程中,引导电容首先在充电阶段获得电荷,将源极与栅极之间的电压提高到比Vdd更高的电压。然后,在放电阶段,引导电容释放储存的电荷,提供高电压至NMOS晶体管的栅极。 通过这种方式,NMOS自举电路可以提供较高的栅极电压,从而使NMOS晶体管能够更快地响应和导通。NMOS自举电路的优点包括简化电路设计和提高NMOS的工作效率。 然而,NMOS自举电路也有一些局限性。引导电容需要花费一定的充电和放电时间,从而限制了电路的工作速度。同时,NMOS自举电路也需要额外的电荷泵电路来提供电容的充电电流,增加了电路的复杂性。 总的来说,NMOS自举电路通过引导电容的充放电过程,实现了向NMOS晶体管的栅极提供高电压,从而提高了NMOS晶体管的性能。
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