能带理论

最新推荐文章于 2024-01-21 20:24:23 发布

东门之杨

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分类专栏：固体物理

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固体中电子运动的模型

经典金属自由电子气模型

特鲁德(Drude)模型，也叫凝胶模型（Jellium Mode）
1900年Drude提出
将气体分子运动论应用到固体，解决金属的电导和热导现象。
离子实不动，价电子弥散于金属内部，构成自由电子气。
基本假设：
- 电子遵从波尔兹曼统计
- 独立电子近似——忽略电子之间的作用
- 自由电子近似——忽略金属离子和电子之间的作用
- 弛豫时间近似——概括电子和金属离子碰撞特征，假定弛豫时间 $\tau$ 和电子的速度和位置无关。
成功解释欧姆定律
$E = ρ j$ $\mathbf E=\rho \mathbf j$
成功解释金属电导和热导的Wiedeman-Franz定律
$K σ = c T$ $\dfrac K\sigma=cT$
其中 $K$ 是热导率， $\sigma$ 是电导率， $c$ 是常数。
困难：根据波尔兹曼统计，平均每个电子对金属热容的贡献是 $\dfrac32k_B$ ,和实验结果不符。

量子的自由电子模型

索末菲(Sommerfeld)模型，1928年
对Trude模型的改进：
- 使用费米-狄拉克统计
- 电子的能态由薛定谔方程决定：电子在金属内部运动，看作在无限深势阱中运动
  $- ℏ 2 2 m \nabla 2 ψ (r) = E ψ (r)$ $-\dfrac{\hbar^2}{2m}\nabla^2\psi(\mathbf r)=E\psi(\mathbf r)$
  方程的解
  $ψ (r) = 1 Ω - - \sqrt e i k \cdot r E = ℏ 2 k 2 2 m$ $\psi(\mathbf r)=\dfrac1{\sqrt\Omega}e^{i\mathbf k\cdot\mathbf r}\\ E=\dfrac{\hbar^2k^2}{2m}$
  其中 $\Omega$ 是金属的体积。
成功解释金属的热容
困难：忽略了电子和金属离子之间的作用，不能解释为什么有导体和绝缘体的区别

能带理论

Bloch,1928年
对量子自由电子模型的修正：考虑固体中离子和其他电子对电子的作用，方法是用周期性势场来描述。
基本假设：
- 绝热近似(Born-Oppenheimer):离子实不动。多粒子问题转化为多电子问题。
- 单电子近似(Hartree-Fork):用平均场代替其他电子对电子的作用。将多电子问题转化为单电子问题。
- 周期场近似：所有离子势场和其他电子的平均势场简化为周期场，具有和晶格一样的平移对称性。

假设晶体有 $N$ 个原子，离子实 $N$ 个，带正电荷 $Ze$ 个，每个离子实质量为 $M$ ,位置在 $\mathbf R_n$ ；价电子 $NZ$ 个，每个电子质量 $m$ ,位置 $\mathbf r_i$ .

体系的哈密顿量：

H = - \sum n = 1 N ℏ 2 2 M \nabla 2 n - \sum i = 1 N Z ℏ 2 2 m \nabla 2 i + 1 2 \sum n, n' Z 2 e 2 4 π ε 0 1 | R n - R n ' | + 1 2 \sum i, j e 2 4 π ε 0 1 | r i - r j | - \sum i = 1 N Z \sum n = 1 N Z e 2 4 π ε 0 1 | R n - r i | = T n + T e + V n n (R n, R n') + V e e (r i, r j) + V e n (r i, R n)

$\begin{array}a H=-\sum_{n=1}^{N}\dfrac{\hbar^2}{2M}\nabla^2_n-\sum_{i=1}^{NZ}\dfrac{\hbar^2}{2m}\nabla^2_i+\dfrac12\sum_{n,n'}\dfrac{Z^2e^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf R_n-\mathbf R_{n'}|}+\dfrac12\sum_{i,j}\dfrac{e^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf r_i-\mathbf r_j|}-\sum_{i=1}^{NZ}\sum_{n=1}^{N}\dfrac{Ze^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf R_n-\mathbf r_{i}|}\\ =T_n+T_e+V_{nn}(\mathbf R_n,\mathbf R_{n'})+V_{ee}(\mathbf r_i,\mathbf r_j)+V_{en}(\mathbf r_i,\mathbf R_n)\\ \end{array}$

根据绝热近似，只考虑电子体系

H e = T e + V e e (r i, r j) + V e n (r i, R n)

$H_e=T_e+V_{ee}(\mathbf r_i,\mathbf r_j)+V_{en}(\mathbf r_i,\mathbf R_n)$

根据单电子近似， $V_{ee}$ 用平均场来代替，即每个电子受到其他电子总的作用用平均势场来代替。

V e e = 1 2 \sum i, j e 2 4 π ε 0 1 | r i - r j | = \sum i = 1 N Z v e r i

$V_{ee}=\dfrac12\sum_{i,j}\dfrac{e^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf r_i-\mathbf r_j|}=\sum_{i=1}^{NZ}v_e{\mathbf r_i}$

现在仅取 $Z=1$ 的情况分析，

H e = \sum i = 1 N [- ℏ 2 2 m \nabla 2 i + v e (r i) - \sum k = 1 n e 2 4 π ε 0 1 | r i - R k |]

$H_e = \sum_{i=1}^N\left[ -\dfrac{\hbar^2}{2m}\nabla^2_i +v_e(\mathbf r_i)- \sum_{k=1}^n\dfrac{e^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf r_i-\mathbf R_{k}|} \right]$

根据周期场近似，电子体系的势场 $V(\mathbf r)=v_e(\mathbf r_i)- \sum_{k=1}^n\dfrac{e^2}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{1}{|\mathbf r_i-\mathbf R_{k}|}$ 具有和晶格相同的平移对称性，即