具有可编程增益放大器，R7FA4T1BB3CFJ、R7FA4T1BB3CFL、R7FA4T1B93CFJ、R7FA4T1B93CFL基于100MHz Arm® Cortex®-M33 电机控制微控制器

RA4T1 系列 100MHz Arm® Cortex®-M33 电机控制微控制器

介绍

RA4T1 Arm® 微控制器 (MCU) 基于高效的40nm工艺。这些MCU包括100MHz Arm Cortex®-M33内核、高速模拟比较器和可编程增益放大器。RA4T1 MCU具有256kB闪存、40kB SRAM、跟在EEPROM中一样存储数据的4kB数据闪存，以及通用脉宽调制 (PWM) 定时器。这些MCU还具有12位模数转换器、DAC和丰富的模拟功能，可缩小尺寸，满足空间受限应用的需求。RA4T1 MCU由灵活的软件包 (FSP) 提供支持，包括电机控制特定控制代码算法。

这些MCU用于智能家居、洗衣机、冰箱、真空机、压缩机、切割工具和打磨机中的电机控制应用。

特征

100MHz Arm Cortex-M33® 内核，带TrustZone®
128KB – 256KB 闪存和 40KB SRAM
4KB数据闪存，类似EEPROM一样存储数据
包括 32 引脚至 64 引脚的封装
脉宽调制定时器
12 位模数转换器
可编程增益放大器
高速比较器
12 位数模转换器
三角函数单元
CAN FD
I3C， SCI， SPI

具有可编程增益放大器，R7FA4T1BB3CFJ、R7FA4T1BB3CFL、R7FA4T1B93CFJ、R7FA4T1B93CFL基于100MHz Arm® Cortex®-M33 电机控制微控制器 —— 明佳达

器件

R7FA4T1BB3CFJ微控制器：32引脚LQFP封装
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32-位
速度：100MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，I2C，I3C，IrDA，MMC/SD，SCI，SPI，UART/USART
外设：DMA，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：16
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：40K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 5x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：32-LQFP（7x7）
封装/外壳：32-LQFP

R7FA4T1BB3CFL微控制器：48引脚LQFP封装
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32-位
速度：100MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，I2C，I3C，IrDA，MMC/SD，SCI，SPI，UART/USART
外设：DMA，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：29
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：40K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 8x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-LFQFP（7x7）
封装/外壳：48-LQFP

R7FA4T1B93CFJ微控制器：128KB闪存 32LQFP
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32-位
速度：100MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，I2C，I3C，IrDA，MMC/SD，SCI，SPI，UART/USART
外设：DMA，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：16
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：40K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 5x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：32-LQFP（7x7）
封装/外壳：32-LQFP

R7FA4T1B93CFL微控制器：128KB闪存 48LQFP
核心处理器：ARM® Cortex®-M33
内核规格：32-位
速度：100MHz
连接能力：CANbus，EBI/EMI，I2C，I3C，IrDA，MMC/SD，SCI，SPI，UART/USART
外设：DMA，LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：29
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：40K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.7V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 8x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：48-LFQFP（7x7）
封装/外壳：48-LQFP

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！