入门级通用微控制器: R7FA2E1A93CLM、R7FA2E1A52DFJ、R7FA2E1A72DBU、R7FA2E1A52DLM基于48MHz Arm® Cortex®-M23内核

RA2E1 基于48MHz Arm® Cortex®-M23 入门级通用微控制器

RA2E1 产品群是 RA 系列的入门级单芯片微控制器，基于48 MHz Arm® Cortex®-M23 内核，具有高达 128 kB 的代码闪存以及 16 kB 的 SRAM 。 这款产品采用优化的制程和低功耗工艺技术，是业界一流水平的超低功耗微控制器。 RA2E1 产品支持 1.6V 至 5.5V 的宽工作电压范围和多种封装，如 LQFP、QFN、LGA、BGA 和 WLCSP。 RA2E1 可与 RA2L1 产品群引脚和外围设备兼容，特别适用于电池供电应用以及空间受限应用，以及其他需要高性能和低功耗的系统。

应用

一般用途
消费者应用
家用电器
工业自动化
楼宇自动化
医疗与保健

特性

48MHz Arm® Cortex®-M23
高达 128kB 的闪存以及 16kB SRAM
4kB 数据闪存，提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
从 25 引脚封装扩展至 64 引脚封装
1.6V - 5.5V 的宽工作电压范围
增强型电容式触摸感应单元 (CTSU)
12 位 ADC，LPACMP，温度传感器
32 位通用 PWM 定时器，16 位通用 PWM 定时器，低功耗异步通用定时器
实时时钟
SCI（UART、简单 SPI、简单 I2C）
独立的 SPI 接口/I2C 多主接口
安全功能
加密功能
多种封装选择（LQFP、QFN、LGA、BGA 及 WLCSP）

入门级通用微控制器: R7FA2E1A93CLM、R7FA2E1A52DFJ、R7FA2E1A72DBU、R7FA2E1A52DLM基于48MHz Arm® Cortex®-M23内核 —— 明佳达

器件

R7FA2E1A93CLM

核心处理器：ARM® Cortex®-M23
内核规格：32 位单核
速度：48MHz
连接能力：I2C，智能卡，SPI，UART/USART
外设：AES, DMA, LVD, POR, PWM, Temp Sensor, TRNG, WDT
I/O 数：20
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.6V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 12x12b SAR
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：36-LGA（4x4）
封装/外壳：36-WFLGA

R7FA2E1A52DFJ

核心处理器：ARM® Cortex®-M23
内核规格：32 位单核
速度：48MHz
连接能力：I2C，智能卡，SPI，UART/USART
外设：AES, DMA, LVD, POR, PWM, Temp Sensor, TRNG, WDT
I/O 数：23
程序存储容量：32KB（32K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.6V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 10x12b SAR
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：32-LQFP（7x7）
封装/外壳：32-LQFP

R7FA2E1A72DBU

核心处理器：ARM® Cortex®-M23
内核规格：32 位单核
速度：48MHz
连接能力：I2C，智能卡，SPI，UART/USART
外设：AES, DMA, LVD, POR, PWM, Temp Sensor, TRNG, WDT
I/O 数：53
程序存储容量：64KB（64K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.6V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 13x12b SAR
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：64-VFBGA（4x4）
封装/外壳：64-VFBGA

R7FA2E1A52DLM

核心处理器：ARM® Cortex®-M23
内核规格：32 位单核
速度：48MHz
连接能力：I2C，智能卡，SPI，UART/USART
外设：AES, DMA, LVD, POR, PWM, Temp Sensor, TRNG, WDT
I/O 数：20
程序存储容量：32KB（32K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.6V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 12x12b SAR
振荡器类型：外部，内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：36-LGA（4x4）
封装/外壳：36-WFLGA

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