【SDRAM/DDR结构】之二 RANK

【SDRAM/DDR结构】之二 RANK

  • 会解释的概念
  1. 物理bank
  2. Rank
  3. 芯片位宽
    如果对以上概念有疑问可以看这一节。

先解释两个位宽——存储单元的位宽和芯片位宽

上一节计算了存储单元的数量,或者说到底能有多少个地址,那内存数据大小是多少呢?

每个存储单元(或叫内存颗粒)能够存储的bit数,就是它的位宽,内存数据大小就是内存颗粒位宽x内存颗粒的数量啦!一般来说,内存颗粒的位宽为8bit,16bit。

而平常说的芯片位宽就是CPU的位宽,也就是物理-bank的位宽:内存和CPU是配合工作的,现在普遍是64bit的CPU,内存必须在CPU的一个传输周期提供它需要的数据才行,那就需要8个8bit的存储单元,4个16bit的存储单元,那就需要将多个逻辑-bank组成物理-bank工作。

RANK
实现物理-bank,是通过rank这个结构,这个结构也是在DDR中才出现的。下图中,一个rank包含了8个L-bank,每个bank的内存颗粒位宽为8bit,当CPU发出片选信号(用于选择是哪个rank)还有行列地址信号后,这个rank中的8个bank中的定位到的内存颗粒会一起被选中,一起提供共64bit的数据。提一句,这个“一起被选中的过程”就是prefetch,具体见后文。

rank示意图

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