场效晶体管
阴阳万物
当遇上平行空间的自己,并不会有空间塌陷,互侵等,有也只有意识空间交流、共享。
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MOS管规格书参数解析
在这之前,首先了解下三极管和MOS管的区别:三极管是电流控制型的器件,通过基极电流去控制集电极电流,实现电流、电压信号放大或者驱动负载工作;场效应管是电压控制器件,需要通过栅极(G)电压来控制场效应的导通,实现场效应的导通和关断。三极管由两个PN结组成,可以排列成NPN或者PNP的结构。有基极(B)、集电极(C)和发射极(E)三个引脚。NPN三极管:由基极(B)流进的控制电流Ib,控制由集电极(C)流进的电流Ic; PNP三极管:由基极(B)流出的控制电流Ib,控制由集电极(C)流出的电流Ic;原创 2020-11-12 15:57:29 · 9558 阅读 · 0 评论 -
场效晶体管MOSFET
N沟道增强型MOSFET,为了改善某些参数的特性,如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺,构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型场效应晶体管是电压控制元件,而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用双极晶体管。双栅极MOSFET双栅极(dual-gate)MOSFET通常用在射频(Ra翻译 2020-07-07 18:14:54 · 1091 阅读 · 0 评论