MOS管规格书参数解析

在这之前，首先了解下三极管和MOS管的区别：

三极管是电流控制型的器件，通过基极电流去控制集电极电流，实现电流、电压信号放大或者驱动负载工作；场效应管是电压控制器件，需要通过栅极（G）电压来控制场效应的导通，实现场效应的导通和关断。

三极管由两个PN结组成，可以排列成NPN或者PNP的结构。有基极（B）、集电极（C）和发射极（E）三个引脚。

NPN三极管：由基极（B）流进的控制电流Ib，控制由集电极（C）流进的电流Ic； 　　
PNP三极管：由基极（B）流出的控制电流Ib，控制由集电极（C）流出的电流Ic； 　　
三极管可以用于设计电压、电流信号放大电路，Ic=β*Ib，β为三极管的放大倍数。

三极管也可以用于设计负载驱动电路，实现开关控制，比如控制蜂鸣器、LED、直流电机、继电器等等。三极管导通后，集电极（C）和发射极（E）之间会有一定的压降（0.2V~0.7V），当负载工作电流较大时，三极管发热比较严重，所以三极管不适合驱动功率较大的负载。

场效应管也是由P型和N型半导体组成。它也有三个引脚，分别是栅极（G）、漏极（D）、源极（S）；

N沟道场效应管：漏极（D）、源极（S）都是连接在N型半导体上，而栅极（G）连接的金属通过氧化物再与P型半导体衬底连接。当Vgs》0时场效应管开始导通，电流可以从漏极（D）源极（S），也可以从源极（S）漏极（D），当然Vgs要达到一定的开启电压才可以稳定的导通。

P沟道场效应管：漏极（D）、源极（S）都是连接在P型半导体上，而栅极（G）连接的金属通过氧化物再与N型半导体衬底连接。当Vgs场效应管导通后内阻很小，一般只有几毫欧到几十毫欧，可以用于驱动功率较大的直流负载。三极管无法驱动的直流负载，都可以用场效应管来驱动。

场效应管也可以用于设计电流、电压信号放大电路。效应管是电压驱动型的器件，如果单片机的驱动电压达不到门极开启电压的要求，可以加入三极管驱动，利用三极管集电极的电压来控制效应管。

最大额定参数（所有数值取得条件(Ta=25℃)）

VDSS 最大漏-源电压
在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

VGS 最大栅源电压
VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

ID - 连续漏电流
ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：

ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

IDM - 脉冲漏极电流
该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义