电子器件散热应用中的温升参数常识

那么实际应用中如何估算器件的大概测试温升和温度（哈哈，还在摸索中……）

 

结温Tj：电子设备中半导体器件的实际工作温度，实际上比器件封装外壳温度高。
IGBT散热：通过铜底板传导至散热器，散热方向上的热阻越小越好，以用高热导率
的高导热陶瓷材料，或者同时通过焊接工艺技术增强散热器的导热可靠性。 

先了解下概念

1.

结温=环境温度+热阻*输入功率（Tj=Ta+Rθja*Pdiss）
结温Tj (℃)：芯片主要热源；Ta (℃):芯片环境温度；Pdiss (W):器件总功耗
Rθja (℃/W)：热阻值，与散热效率相关；热阻值小，散热效率高；热阻值大，散热效率低。

Rθjc是与外壳表面之间的热阻，适用于芯片的散热功率，通过器件封装的单表面(壳体顶部或底部)传导。

Rθja 是对环境的热阻，总热量分布的空气中，适用于封装体传导

2.（图一）

还有一个参数不容忽视——Tcase，芯片的贴面温度，虽然Tcase与结温相差几度，通常比结温低

3.

结温范围（一般规定）：
消费级Si芯片产品--结温范围0℃-70℃
工业级Si芯片产品--结温范围-20℃-85℃
军/车规级Si芯片产品--结温范围-40℃-125℃

结温降额等级：（图2）

最高结温：
Si器件最高结温为150℃~200℃，SiC器件最高结温为175℃，Ge器件最高结温为85℃~125℃，
LED最高结温125℃，普通SCR最高结温125℃，高温SCR最高结温150℃，IGBT2最高结温125℃
IGBT3/4最高结温150℃，IGBT5最高结温175℃

4.

实际上应用中最终测试到的可能是表面的壳温（热电偶测量到表面温度，红外热成像测量到芯片最高温度），但又不是单纯的壳温，受到不同传导方向的温度影响，得出不同的温度、温升，这虽然可能测试出来温度，并不是想要的温度。

现在也有另一种概念来呈现芯片封装热指标——热表征参数（ΨJT&ΨJB）

相应的结温计算：

 5.试验现象和数据分析（热电偶测量）

根据以往经历的实验数据，分析得出电子器件温升值通常为定值（固定一定范围的值，误差很小），不受实验环境变化影响，即使有散热风扇、风道参与影响，在同等条件下单一差异的，电子器件温升的值都基本维持一定范围，数值误差范围0℃-3℃。