微电子新手入门之Cadence常用仿真——NMOS管特征频率仿真

1）场效应管（JFET、MESFET、HEMT）的特征频率ft是指共源、输出端短路、电流放大系数为1（即输入电流=输出电流） 时的频率，也称为共源组态的增益-带宽乘积；它主要由栅极电容Cg来决定。由简化的小信号高频等效电路可以给出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ。

2）特征频率是每一种工艺下的非常重要的参数。它的定义是当电流增益降到 1 时所对应的频率。

电感L为1nH，扼交流，电容为1pH，隔直流。直流电流的AC Magnitude 取值为 1A，这样做的好处就是只要测出电流Id ，它在数值上是与电流增益一致的。用探针测得两端电流，iGain=id/ig，作出 iGain 随频率变化的曲线，找出 iGain =1 时对应的频率值就是我们想要知道的特征频率。这里我们对不同的gV 直流偏置进行了扫描。

执行菜单栏命令，调出Results Browser…

在ac中选择探针0，将其在计算器中表示：

同样在ac中选择探针1，将其在计算器中表示：

在ADE界面中，点击【Outputs】→【Setup…】

新建公式名称为iGain，并在计算器中填写好探针0电流除以探针1电流的表达式，然后在窗口中点击添加公式：

 

执行菜单栏命令【Tools】→【Paramatric Analysis】进行参数扫描仿真：

对栅极电压进行扫描：

得到的波形如图所示：

选择小红旗，添加Mark：

我们选择只看纵坐标为1时的值，得到横坐标的频率值：

可以看到所有比值为1时的横坐标值：

对频率范围进行缩减，仿真从1G到1T进行设置，栅极电压的扫面范围也减小到0.5到1V之间，得到的曲线如下，可以看到截止频率大致为340GHz。