采用的是TSMC 40nm 工艺,首先搭建一个用来仿真的原理图
仿真的管子为nmos_rf,标识为M0,其中栅极由直流电压源vg提供,漏级由直流电压源vdd提供。
ADE仿真界面设置,将两个变量添加进去,并分别设置一个初始值:
Analysis选择DC直流仿真:
进行直流仿真,查看NMOS管是否工作在饱和区。仿真结束,执行菜单栏命令【Results】→【Print】→【DC Operating Points】
然后点击NMOS管即可弹出管子的直流属性:
首先保证region为2,也就是管子工作在饱和区。然后执行菜单栏命令,调出Results Browser…
选择【dcOpinfo】,选择【M0】,找到参数gm,右键加入到计算器中:
可以看到在计算器中已经有相关公式了:
同样的,将电流id添加到计算器当中:
在ADE界面中,点击【Outputs】→【Setup…】
新建公式名称为gm/id,并在计算器中填写好gm/id的表达式,然后在窗口中点击添加公式:
同样的,找到instance中MOS管的w参量,同样右键添加到计算器当中:
新建公式名称为id/w,并在计算器中填写好/w的表达式,然后添加公式:
设置好的ADE界面如下:
执行菜单栏命令【Tools】→【Paramatric Analysis】进行参数扫描仿真:
对栅极电压进行扫描:
仿真结束后,会自动弹出仿真结果,但是可以看到波形并不是很美观,这里需要将两个曲线分左右Y轴查看。选中一条曲线,然后点击右键,选择Change Y Axis。
得到了我们想要的波形曲线: