MOS器件的三个重要参数：特征频率、跨导效率和本征增益

一、特征频率

器件中存在着栅极氧化层电容、耗尽层电容，以及其他大量寄生电容，这导致了MOS管工作速度受限。MOS管的栅极输入存在该MOS管最大的电容，在栅极输入信号频率较低时，MOS管能很好地将栅源输入电压信号转变为输出的漏源电流信号，MOS管正常工作。当栅极输入信号频率高到一定程度后，MOS管输入阻抗从大变小，从而导致流入栅极的电流变大，输出电流会变小，跨导转换的效率将快速降低。因此，我们需要关注MOS管能正常工作的最高频率，通常用MOS管的特征频率fT来衡量。

MOS管的特征频率定义为MOS管的电流增益（输出小信号电流与输入小信号电流之比）降低到1时的器件工作频率。下面进行推导：

当MOS管工作在饱和区时，有：

则可以得到

可见晶体管的特征频率与MOS管的过驱动电压成正比，与MOS管沟道长度的平方成反比，与MOS管载流子迁移率成正比。如果希望提高MOS管的工作频率，可以选用高的过驱动电压，或者缩小其沟道长度。但选用高的过驱动电压，则意味着产生更大的电流和更高的功耗，在许多应用场合受到限制。因此，设计中需要在功耗和频率之间做折中考虑。

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二、跨导效率

MOS管工作在饱和区时，本质上是一个压控电流源，其控制系数就是MOS的跨导gm。但是，考虑到电路对功耗的要求，电路设计工程师还需要关注MOS管的“跨导效率（gm/ID）”,即每消耗一定电流时，MOS管能提供多大的跨导。

根据定义可以得到跨导效率的表达式为：

注意，当MOS管工作在非强反型饱和区，或者并不符合长沟道近似时，上式并不成立。

由上式可知，为实现高的跨导效率，需要给MOS管施加小的过驱动电压。但是，当过驱动电压较低时，MOS管可能会从强反型的工作状态转变为弱反型的工作状态，甚至进入亚阈值导通状态，此时无法用上式描述跨导效率了。为了实现高的跨导效率，需要给MOS管施加小的过驱动电压，但这会导致MOS管的工作速率变慢。因此，设计中需要在跨导效率和频率之间做折中考虑。

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三、本征增益

当晶体管接成共源极放大器时，所能达到的低频小信号增益最高值，叫MOS管的本征增益，可以用下式表示：

由上式可知，MOS管的本征增益与过驱动电压和沟长调制系数成反比。考虑到沟长调制系数反比于MOS管沟长L，因而本征增益会随着L的增加而提高。从而，降低VOD并增加L可以提高MOS管的本征增益。但是，降低VOD会降低MOS管的工作速度，增加沟长L也会进一步降低MOS管的工作速度。因此，设计中需要在增益和频率之间做折中考虑。

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综上所述，将MOS器件的三个重要参数总结如下

所以说，模拟集成电路是折中的艺术。

参考来源：[1]邹志革，刘冬生编.新工科暨卓越工程师教育培养计划集成电路科学与工程学科系列教材 CMOS模拟集成电路设计基础[M].武汉：华中科技大学出版社,2024