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专栏 《深入理解NAND Flash》
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前言
存储芯片生态包含设计环节和制造封装环节还有品牌营销环节。设计环节是核心技术,包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存芯片。
本文从闪存芯片视角,介绍存储国产化的进展。后续文章会再从其他视角介绍。
本文内容聚焦于闪存存储,不设涉及其他存储介质,如光盘,磁盘。
本文主要是以固态硬盘和嵌入式存储为主。对SD卡片类或U盘因技术较成熟,其基本存储原理和固态硬盘相似,只是和主机交互不同,本文不再赘述。
闪存利用电容存储电子来表示0/1的数据,来存储二进制数据。
1 闪存介质
闪存介质分为NOR FALSH 和 NAND FALSH。
NOR FALSH 产品容量较小,适合应用于对存储数据量较小(小于16MB)的场景,比如穿戴设备和智能家电。
NAND FLASH 产品容量较大,适合应用于对存储数据量较大(大于16MB)的场景。主要用在手机、平板、电脑、服务器。
NOR FLASH 单字节成本比NAND flash 高,但因容量小,总的价格较低。16MB 是一个分水岭。