2SK2808-01MR-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SK2808-01MR-VB 产品简介

2SK2808-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和20V的栅源电压（VGS），能够在低压应用中提供高效和可靠的性能。该产品采用了沟道技术，确保了在不同应用中的稳定性和耐用性。其最大漏极电流（ID）为68A，在VGS为4.5V时的导通电阻（RDS(ON)）为2mΩ，在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为1mΩ。这个器件适用于对低压要求且需要高电流的场合。

### 二、2SK2808-01MR-VB 详细参数说明

- **封装形式**：TO220F
- **极性**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：20V（±）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
  - @ VGS=4.5V: 2mΩ
  - @ VGS=10V: 1mΩ
- **漏极电流（ID）**：68A
- **技术**：沟道技术
- **其他参数**：
  - 栅极电荷（Qg）：待定
  - 反向恢复时间（trr）：待定
  - 电感负载开关时间（tsw）：待定
  - 封装尺寸：待定
  - 工作温度范围：待定

### 三、适用领域和模块举例

2SK2808-01MR-VB MOSFET 由于其低压和高电流能力，适用于各种低压高功率的应用场景。以下是一些具体的应用领域和模块：

1. **电源模块**：在需要高效能和稳定性能的低压电源模块中，2SK2808-01MR-VB 可以提供可靠的功率开关和电流控制，使电源模块具有更好的效率和可靠性。

2. **电机驱动器**：在低压电机控制系统中，2SK2808-01MR-VB 可以提供高效的电流控制和电压调节，确保电机的稳定运行和高效能转换。

3. **照明系统**：对于需要高亮度和高功率的LED照明系统，2SK2808-01MR-VB 可以提供稳定的电流和电压输出，提升照明效果和能源利用率。

4. **电动汽车控制器**：在电动汽车控制系统中，2SK2808-01MR-VB 的高电流处理能力和低压特性可以确保电能传输的稳定和高效率，提高电动汽车的性能和续航里程。

总的来说，2SK2808-01MR-VB 是一款适用于低压高功率场合的N沟道MOSFET，具有高性能和稳定性，可以满足各种高功率电子设备的需求。