n-mos与p-mos的作用

NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；

PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低于VDD的电压），这样管子才能导通。

NMOS增强型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压；

PMOS增强型管：uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压；

PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反

电流流向：

nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。
如果NMOS的源极不接衬底,不接到地，那么只要是G-S正偏就可以，Vgs大于门槛电压，MOS就可以导通。

电流可由D–>S（nmos），也可S–>D（pmos）。主要是看源极和漏极之间的电位，漏极电位高于源极，电流D到S。源极电位高于漏极，电流S到D。

NMOS:

PMOS:

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