P-MOS管和N-MOS管的区别

1.定义

MOS管的英文全称和中文释义是：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文释义是金属氧化物半导体场效应晶体管。

2.对MOS管的理解

MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。

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源极：它就是来源，是源头，因此电子（电子是一种载流子，还有另外一种载流子——空穴）应该是从源头到别的地方，到哪呢？是漏极，肯定不是栅极，因为栅极是控制极，是发号施令的一个极，因此表演的应该是源极与漏极才对。这样一来，栅极就是导演，源极和漏极就是演员，只不过源极是主演，漏极是副角。这三个角色就在MOS这个舞台上发挥各自的职责。

3.两种MOS管的区别

MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。

很显然，电流（与电子的移动方向相反）从源极（输入端）到漏极（输出端），那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS管；而电流要是从漏极（输入端）到源极（输出端），那就是逆流而上，是NMOS管。

电流应该为电子基于PMOS和NMOS的结构来理解记忆，首先找到和箭头相连(不管箭头方向)的极，这个极肯定是源极S。记住箭头方向代表电子运动的方向，二极管的方向和箭头相同，如果电子从源极S流出，源极是电子的提供源泉，那么源极就是N型半导体，N型半导体提供电子，那么就是NMOS。
反之，则是PMOS。如果电子流向源极S，那么空穴则从源极流出，源极是空穴的提供源泉，那么源极就是P型半导体，那么就是PMOS

4.记忆技巧：

1.交叉的线最多的是源极；

2.栅极也就是门（gate），既然是门，就具有控制的职能。

3.无论是PMOS管还是NMOS管，二极管的方向正好与输入输出的方向是相反的

4.无论是PMOS管还是NMOS管，栅源极箭头的方向正好与二极管的方向相同

5.无论是PMOS管还是NMOS管，我们只需要比较G极电压与S极电压大小关系就可以判断MOS管能不能导通

6.对于PMOS管来说，电流是从源极（输入端）到漏极（输出端），从上到下，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须小于源极电压；换句话说，当UGS<0时，PMOS管才导通。

7.对于NMOS管来说，电流是从漏极（输入端）到源极（输出端），从下到上，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须大于源极电压；换句话说，当UGS>0时，NMOS管才导通。

5.导通特性

NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。

PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

6.他们的两种应用情况 

①N-MOS（Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。）（如下图驱动电机）

②P-MOS（Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动））

（如下图充电时强制断电）

 

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