MOS管与三极管的不同之处?
方法1
MOS管是电压控制器件,输入阻抗很高,几乎不消耗功率;不存在雪崩击穿现象,击穿电压随温度升高有少量升高,但是器件击穿电压无法做的与三极管一样高,一般做到150伏就很了不起了。还有它线性较差,用来做线性放大器比较难。三极管是电流控制器件,可以做到高击穿电压,但是存在雪崩击穿现象,且击穿电压随温度升高而降低。
方法2
三极管与场效应管的区别 场效应管是场效应晶体管MOS管是场效应管的主流器件,它的高输入阻抗特性以上是不同点。相同点在于他们的材料都是硅或锗
方法3
MOS管由源极S,栅极G,漏极D组成与三极管都是有放大功能,放大状态工作时,因为MOS管的栅极G与源极S之间没有电流,因此漏极D电流Id是由栅极G与源极S之间电压Ugs决定的,Id=μUgs。
三极管由发射极E,基极B,集电极C组成,放大状态工作时,基极B流到射极E的电流Ib决定集电极C流到射极E的电流Ic,Ic=βIb。