自举电路原理

充电储能

在充电过程中,开关闭合(三极管导通),这时,输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电,所以电感上的电流以一定的比率线性增加,这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加,电感里储存了一些能量。

放电升压

当开关断开(三极管截止)时,由于电感的电流 保持特性,流经电感的电流不会马上变为0,而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开,于是电感只能通过新电路放电,即电感开始给电容充电, 电容两端电压升高,此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。

升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时,电感吸收能量,放电时电感放出能量。如果电感量足够大,那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复,就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。

 

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对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 对于三相逆变电路的驱动, 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 控制 电源 (三路用于 P侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 侧驱动,一 路用于 N侧驱动 侧驱动 )。通过 自电路电路 实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一(N侧控制电源 侧控制电源 侧控制电源 )。 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 自电路由一个二极管,容和限流阻组成。如图 1-1所示,其使用 所示,其使用 所示,其使用 自电容作为 自电容作为 自电容作为 自电容作为 驱动 P侧 IGBTIGBTIGBTIGBT和 MOSFETMOSFETMOSFET MOSFET 的控制电源。 控制电源。 控制电源。 自电容提供 自电容提供 自电容提供 P侧器件开通 侧器件开通 时栅极充电 栅极充电 栅极充电 所需电荷 所需电荷 ,并提供 ,并提供 ,并提供 P侧驱动 侧驱动 IC 中逻辑电 逻辑电 路消耗的 消耗的 电流。如图 电流。如图 电流。如图 1-2所示 ,由于 ,由于 采用 自 电容代替 电容代替 隔离 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 电源,它的供能力是受到限制。 所以这个利用自 所以这个利用自 所以这个利用自 所以这个利用自 电路实现的 电路实现的 浮动电源 浮动电源 只适用于像 适用于像 适用于像 DIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPM这样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 。 逆变过 程中当输出端 程中当输出端 程中当输出端 (U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W) 电位会 电位会 拉低到 拉低到 GNDGNDGND附近 时,N侧 15V15V 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 的控制电源会通过限流阻和自二极管 对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量对自电容充。但由于开关序列, 量限流电阻等制 限流电阻等制 限流电阻等制 使自电容 自电容 自电容 可能 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 充电 不完全 不完全 将 导致的自电容欠压,进而使 导致的自电容欠压,进而使 导致的自电容欠压,进而使 导致的自电容欠压,进而使 导致的自电容欠压,进而使 导致的自电容欠压,进而使 模块工作 模块工作 模块工作 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 进入欠压保护 状态。 状态。 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, 由于驱动电压降低, P侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 侧器件的功率损耗将增加直至进 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 入欠压保护而停止开关。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。 所以在自电路设计时应该做充分的考虑和评估。

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